브라우저에서 자바스크립트를 사용하지 않도록 설정한 것으로 보입니다. 로그인하지 않으면 이 페이지의 일부 기능이 작동하지 않습니다.

IAUCN08S7L033ATMA1

Name: Infineon IAUCN08S7L033ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IAUCN08S7L033ATM
Price: 3626 KRW
Availability: InStock

이미지는 참조용으로만 사용하십시오
제품 사양을 참조하세요

Mouser 번호:

726-IAUCN08S7L033ATM

제조업체 번호:

IAUCN08S7L033ATMA1

제조업체:

Infineon Technologies

설명:

MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor

라이프사이클:

신제품:

이 제조업체의 새로운 제품입니다.

데이터시트:

IAUCN08S7L033ATMA1 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기

추가 정보

Infineon Technologies IAUCN08S7L033ATMA1에 대해 자세히 알아보십시오.

재고 상태: 3,597

재고:: 3,597 즉시 배송 가능

예기치 않은 오류가 발생했습니다. 나중에 다시 시도하십시오.
공장 리드 타임:: 26 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩3,626	₩3,626
	₩2,308.8	₩23,088
	₩1,568.8	₩156,880
	₩1,317.2	₩658,600
	₩1,158.8	₩1,158,800
	₩1,073	₩2,682,500
전체 릴(5000의 배수로 주문)
	₩997.5	₩4,987,500

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Infineon
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	PG-TDSON-8
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	80 V
Id - 연속 드레인 전류:	130 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	3.3 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	16 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	2 V
Qg - 게이트 전하:	44.3 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	118 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	OptiMOS
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
브랜드:	Infineon Technologies
구성:	Single
하강 시간:	14 ns
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	5.9 ns
시리즈:	OptiMOS 7
팩토리 팩 수량:	5000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	31.3 ns
표준 턴-온 지연 시간:	6.1 ns
부품번호 별칭:	IAUCN08S7L033 SP006059889

제품을 찾음:

유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

IAUCN08S7L033ATMA1 데이터시트 (PDF)

이 기능을 활성화하려면 자바스크립트가 필요합니다.

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

OptiMOS™ 7 자동차용 전력 MOSFET

Infineon Technologies는 현저히 낮은 온 상태 저항, 감소된 스위칭 손실, 향상된 견고성을 갖춘 선도적인 OptiMOS™ 7 자동차용 전력 MOSFET 기술을 소개합니다. OptiMOS 7은 자동차용 전력 MOSFET의 판도를 새롭게 정의합니다. Infineon의 OptiMOS 7 MOSFET 기술은 자동차 애플리케이션을 위한 새로운 표준을 설정하여 성능과 효율을 추구하는 동시에 미래의 자동차 시스템의 문제를 해결합니다.

OptiMOS™ 7 80V 차량용 전력 MOSFET

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 80V 차량용 전력 MOSFET은 Infineon의 최첨단 전력 반도체 기술로 제작되었습니다. 이 MOSFET은 까다로운 자동차 애플리케이션에 필요한 고성능, 품질 및 견고성을 위해 특별히 설계되었습니다. OptiMOS™ 7 80V MOSFET은 ±20V_GS 게이트 소스 전압과 -55°C ~ 175°C의 온도 범위에서 작동합니다. 이 MOSFET은 상단 냉각 SSO10T 5x7mm² SMD 패키지로 제공됩니다. SSO10T 패키지는 사용자가 냉각 및 전력 밀도를 향상시키는 데 도움이 됩니다. 80V 전력 MOSFET은 MSL-1 등급, RoHS 준수 및 100% 애벌런치 테스트를 거쳤습니다. 이 전력 MOSFET은 일반 자동차 애플리케이션에 이상적입니다.