HAS350M12BM3

Wolfspeed
941-HAS350M12BM3
HAS350M12BM3

제조업체:

설명:
디스크리트 반도체 모듈 SiC, Module, 350A, 1200V, 62mm, BM3, Half-Bridge, Industrial, Harsh Environment

라이프사이클:
신제품:
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₩1,029,957 ₩10,299,570

제품 속성 속성 값 속성 선택
Wolfspeed
제품 카테고리: 디스크리트 반도체 모듈
RoHS:  
Half Bridge Modules
Half Bridge
SiC
800 V
- 8 V, + 19 V
Screw Mount
Module
- 40 C
+ 150 C
브랜드: Wolfspeed
구성: Half Bridge
Id - 연속 드레인 전류: 417 A
Pd - 전력 발산: 1.293 kW
제품 유형: Discrete Semiconductor Modules
Rds On - 드레인 소스 저항: 5.2 mOhms
팩토리 팩 수량: 1
하위 범주: Discrete and Power Modules
Vds - 드레인 소스 항복 전압: 1.2 kV
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압: 2.5 V
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

HAS 가혹한 환경 SiC 하프 브리지 모듈

Wolfspeed에는 HAS 가혹한 환경 SiC(탄화 규소) 하프 브리지 모듈이 견고한 업계 표준 62mm 모듈 패키지를 유지하면서 SiC의 시스템 이점을 제공합니다. 낮은 인덕턴스 레이아웃 덕분에 내부 설계를 통해 고속 SiC 스위칭 이점과 시스템 효율을 높일 수 있습니다. Wolfspeed HAS 모듈은 유도 가열, 레일/트랙션, 모터 드라이브 및 EV 충전 인프라와 같은 고주파 산업 애플리케이션에 완벽하게 적합합니다.

62 mm 탄화규소 하프 브리지 모듈

Wolfspeed 1 200 V 및 1 700 V 62 mm SiC(탄화 규소) 하프 브리지 모듈은 SiC의 시스템 이점을 견고하고 낮은 인덕턴스 레이아웃과 결합한 모듈입니다. 하프 브리지 모듈은 SiC의 낮은 스위칭 및 전도 손실 덕분에 시스템 효율이 향상되는 것이 특징입니다. 이 전력 모듈에는 최소의 오버슈트 및 공명으로 최대 전압 활용을 가능하게 하는 낮은 인덕턴스 내부 레이아웃이 포함되어 있습니다. 하프 브리지 모듈은  견고한 CTE 매칭으로 열 저항을 줄이기 위한 질화 알루미늄 세라믹 또는 지속적인 최대 접합 온도 작동을 위한 질화 규소 세라믹 중에서 선택합니다.