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GE12MPS06A

Name: Navitas Semiconductor GE12MPS06A
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 905-GE12MPS06A
Price: 3197 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

905-GE12MPS06A

제조업체 번호:

GE12MPS06A

제조업체:

GeneSiC Semiconductor

설명:

SiC 쇼트키 다이오드 650V 12A TO-220-2 SiC Schottky MPS

라이프사이클:

신제품:

이 제조업체의 새로운 제품입니다.

데이터시트:

GE12MPS06A 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 2,951

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	₩3,182.8	₩318,280

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Navitas Semiconductor
제품 카테고리:	SiC 쇼트키 다이오드
RoHS:
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	TO-220-2
구성:	Single
If - 순방향 전류:	12 A
Vrrm - 반복 역 전압:	650 V
시리즈:	SiC Schottky MPS
포장:	Tube
브랜드:	GeneSiC Semiconductor
제품 유형:	SiC Schottky Diodes
팩토리 팩 수량:	50
하위 범주:	Diodes & Rectifiers
Vr - 역 전압:	650 V

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

GE12MPS06A 데이터시트 (PDF)

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CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

650V, 1200V, & 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V, 1200V, and 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes provide low standby power losses and improved circuit efficiency. The 650V SiC Diodes have a forward current range of 6A to 20A. The 1200V SiC Diodes have a forward current range of 1A to 200A. The 1700V SiC Diodes have a forward current range of 5A to 50A.

650V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V SiC Schottky MPS™ Diodes combine excellent forward and switching characteristics with best-in-class surge current robustness and thermal conductivity. These diodes operate at 175°C maximum operating temperature and show temperature-independent switching behavior. The 650V SiC Schottky diodes feature superior Avalanche (UIS) capability and low device capacitance. One key advantage of these diodes is the ease of paralleling devices without thermal runaway. Typical applications include SMPS, EVs, motor drives, LED and HID lighting, medical imaging systems, high voltage sensing, induction heating and welding, and pulsed power.