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GE06MPS06E-TR

Name: Navitas Semiconductor GE06MPS06E-TR
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 905-GE06MPS06E-TR
Price: 2978 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

905-GE06MPS06E-TR

제조업체 번호:

GE06MPS06E-TR

제조업체:

GeneSiC Semiconductor

설명:

SiC 쇼트키 다이오드 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS

라이프사이클:

신제품:

이 제조업체의 새로운 제품입니다.

데이터시트:

GE06MPS06E-TR 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 2,364

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최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

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₩-

예상 관세:

가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩2,978.4	₩2,978
	₩2,598.8	₩25,988
	₩2,452.8	₩61,320
	₩2,248.4	₩224,840
	₩2,131.6	₩532,900
	₩2,044	₩1,022,000
	₩1,956.4	₩1,956,400
전체 릴(2500의 배수로 주문)
	₩1,854.2	₩4,635,500
	₩1,781.2	₩8,906,000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Navitas Semiconductor
제품 카테고리:	SiC 쇼트키 다이오드
RoHS:
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	TO-252-2
구성:	Single
If - 순방향 전류:	17 A
Vrrm - 반복 역 전압:	650 V
Vf - 순방향 전압:	1.25 V
If - 순방향 서지 전류:	33 A
Ir - 역 전류:	1 uA
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
시리즈:	SiC Schottky MPS
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
브랜드:	GeneSiC Semiconductor
Pd - 전력 발산:	133 W
제품 유형:	SiC Schottky Diodes
팩토리 팩 수량:	2500
하위 범주:	Diodes & Rectifiers
Vr - 역 전압:	650 V

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문서 필터:

데이터시트

GE06MPS06E-TR 데이터시트 (PDF)

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

650V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V SiC Schottky MPS™ Diodes combine excellent forward and switching characteristics with best-in-class surge current robustness and thermal conductivity. These diodes operate at 175°C maximum operating temperature and show temperature-independent switching behavior. The 650V SiC Schottky diodes feature superior Avalanche (UIS) capability and low device capacitance. One key advantage of these diodes is the ease of paralleling devices without thermal runaway. Typical applications include SMPS, EVs, motor drives, LED and HID lighting, medical imaging systems, high voltage sensing, induction heating and welding, and pulsed power.

650V, 1200V, & 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V, 1200V, and 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes provide low standby power losses and improved circuit efficiency. The 650V SiC Diodes have a forward current range of 6A to 20A. The 1200V SiC Diodes have a forward current range of 1A to 200A. The 1700V SiC Diodes have a forward current range of 5A to 50A.