GE04MPS06A

GeneSiC Semiconductor
905-GE04MPS06A
GE04MPS06A

제조업체:

설명:
SiC 쇼트키 다이오드 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS

라이프사이클:
신제품:
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합계
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₩2,452.8 ₩24,528
₩2,321.4 ₩58,035
₩2,131.6 ₩213,160
₩2,014.8 ₩503,700
₩1,927.2 ₩963,600
₩1,854.2 ₩1,854,200
₩1,752 ₩4,380,000
₩1,679 ₩8,395,000

제품 속성 속성 값 속성 선택
Navitas Semiconductor
제품 카테고리: SiC 쇼트키 다이오드
RoHS:  
SMD/SMT
TO-220-2
Single
4 A
650 V
1.25 V
22 A
1 uA
- 55 C
+ 175 C
SiC Schottky MPS
Tube
브랜드: GeneSiC Semiconductor
Pd - 전력 발산: 55 W
제품 유형: SiC Schottky Diodes
팩토리 팩 수량: 50
하위 범주: Diodes & Rectifiers
Vr - 역 전압: 650 V
부품번호 별칭: GEXXMPS06X
단위 중량: 2 g
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USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

650V, 1200V, & 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V, 1200V, and 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes provide low standby power losses and improved circuit efficiency. The 650V SiC Diodes have a forward current range of 6A to 20A. The 1200V SiC Diodes have a forward current range of 1A to 200A. The 1700V SiC Diodes have a forward current range of 5A to 50A. 

650V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V SiC Schottky MPS™ Diodes combine excellent forward and switching characteristics with robustness and thermal conductivity. The 650V diodes feature superior system ruggedness, zero recovery losses, and smaller heat sink requirements. These diodes enable extremely fast switching, reduced cooling requirements, zero reverse recovery current, and increased system power density. GeneSiC Semiconductor 650V SiC Schottky MPS Diodes are ideal for ease of paralleling without thermal runaway. The diodes are available in a variety of packages, including TO-220, TO-247, and SOT-227.