GCMX040A120B3H1P

Name: SemiQ GCMX040A120B3H1P
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX040A120B3H1P
Price: 85381 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

148-GCMX040A120B3H1P

제조업체 번호:

GCMX040A120B3H1P

제조업체:

SemiQ

설명:

MOSFET 모듈 SiC 1200V 40mohm MOSFET Full-Bridge Module

데이터시트:

GCMX040A120B3H1P 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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1,000	견적

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	SemiQ
제품 카테고리:	MOSFET 모듈
RoHS:
REACH - SVHC:
기술:	SiC
장착 스타일:	Press Fit
트랜지스터 극성:	N-Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	1.2 kV
Id - 연속 드레인 전류:	53 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	38 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	1.8 V
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	208 W
시리즈:	GCMX
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
브랜드:	SemiQ
ACO(최종 조립 국가):	Not Available
COD(확산 공정 국가):	Not Available
COO(원산지):	CN
하강 시간:	12 ns
제품 유형:	MOSFET Modules
상승 시간:	6 ns
팩토리 팩 수량:	40
하위 범주:	Discrete and Power Modules
타입:	Full Bridge
표준 턴-오프 지연 시간:	25 ns
표준 턴-온 지연 시간:	16 ns

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문서 필터:

데이터시트

GCMX040A120B3H1P 데이터시트 (PDF)

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JPHTS:: 854129000
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ECCN:: EAR99

GCMX 1200V SiC MOSFET 풀 브리지 모듈

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