GCMX008C120S1-E1

Name: SemiQ GCMX008C120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX008C120S1-E1
Price: 49180 KRW
Availability: OutOfStock

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Mouser 번호:

148-GCMX008C120S1-E1

제조업체 번호:

GCMX008C120S1-E1

제조업체:

SemiQ

설명:

MOSFET 모듈 Gen3 1200V 8mohm SiC MOSFET Module, SOT-227

라이프사이클:

신제품:

이 제조업체의 새로운 제품입니다.

데이터시트:

GCMX008C120S1-E1 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	SemiQ
제품 카테고리:	MOSFET 모듈
RoHS:
기술:	SiC
장착 스타일:	Screw Mount
패키지/케이스:	SOT-227-4
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	1.2 kV
Id - 연속 드레인 전류:	188 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	12 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	4 V
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	536 W
시리즈:	GCMX
포장:	Tube
브랜드:	SemiQ
구성:	Single
COA(최종 조립 국가):	Not Available
COD(확산 공정 국가):	Not Available
COO(원산지):	TW
하강 시간:	28 ns
높이:	12.19 mm
길이:	38.1 mm
제품:	Power Modules
제품 유형:	MOSFET Modules
상승 시간:	36 ns
팩토리 팩 수량:	30
하위 범주:	Discrete and Power Modules
타입:	MOSFET Power Module
표준 턴-오프 지연 시간:	89 ns
표준 턴-온 지연 시간:	35 ns
Vf - 순방향 전압:	3.8 V
너비:	25.3 mm

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데이터시트

GCMX008C120S1-E1 데이터시트 (PDF)

GEN3 1200V SiC MOSFET 전력 모듈

SemiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Power Modules with an isolated backplate are based on third-generation SiC technology and tested at over 1400V. These come in two versions, the GCMX series and the GCMS series. Both of these highly rugged and easy-mount devices provide smaller die sizes, faster switching speeds, and reduced losses. The lineup includes an overall drain-source on-resistance [R_DS(on)] range from 8.4mΩ to 80mΩ with a switching time as low as 67ns. The COPACK MOSFETs (GCMS) with a Schottky barrier diode offer exceptional switching losses at a high junction temperature due to the low turn-on switching losses. The SemiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Power Modules feature a continuous operational and storage temperature of -55°C to +175°C. Target applications include solar inverters, energy storage systems (ESS), battery charging, and server power supplies.