GCMX003A120S7B1

Name: SemiQ GCMX003A120S7B1
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX003A120S7B1
Price: 379856 KRW
Availability: OutOfStock

이미지는 참조용으로만 사용하십시오
제품 사양을 참조하세요

Mouser 번호:

148-GCMX003A120S7B1

제조업체 번호:

GCMX003A120S7B1

제조업체:

SemiQ

설명:

MOSFET 모듈 SiC 1200V 3mohm MOSFET S7 Half-Bridge Module

라이프사이클:

신제품:

이 제조업체의 새로운 제품입니다.

데이터시트:

GCMX003A120S7B1 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기

추가 정보

SemiQ GCMX003A120S7B1에 대해 자세히 알아보십시오.

구매 가능 정보

재고:: 재고 없음

예기치 않은 오류가 발생했습니다. 나중에 다시 시도하십시오.
공장 리드 타임:: 8 주 추정 공장 생산 시간입니다.

수량 입력:

최소: 10 배수: 10

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

본 제품의 배송비는 무료

가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩379,856.8	₩3,798,568
100	견적

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	SemiQ
제품 카테고리:	MOSFET 모듈
RoHS:
시리즈:	GCMX
포장:	Bulk
브랜드:	SemiQ
제품 유형:	MOSFET Modules
하위 범주:	Discrete and Power Modules

제품을 찾음:

유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

GCMX003A120S7B1 데이터시트 (PDF)

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

GCMX 1,200V SiC MOSFET 하프 브리지 모듈

SemiQ GCMX 1200V SIC MOSFET 하프 브리지 모듈은 저스위칭 손실, 저접합-케이스 열 저항, 매우 견고하고 손쉬운 장착 기능을 제공합니다. 이 모듈은 방열판(절연 패키지)을 직접 장착하고 안정적인 작동을 위한 Kelvin 기준 장치를 포함합니다. 모든 부품은 1350V 이상의 전압에 견디도록 엄격하게 테스트되었습니다. 이 모듈의 스탠드아웃 기능은 견고한 1200V 드레 인-소스 전압입니다. GCMX 하프 브리지 모듈은 175°C의 접합부 온도에서 작동하고 RoHS를 준수합니다. 일반적으로 태양광 인버터, 배터리 충전기, 에너지 저장 시스템, 고전압 DC-DC 컨버터에 사용됩니다.