GCMS020B120S1-E1

Name: SemiQ GCMS020B120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMS020B120S1-E1
Price: 41839 KRW
Availability: OutOfStock

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Mouser 번호:

148-GCMS020B120S1-E1

제조업체 번호:

GCMS020B120S1-E1

제조업체:

SemiQ

설명:

디스크리트 반도체 모듈 SiC 1200V 20mohm MOSFET & 50A SBD SOT-227

데이터시트:

GCMS020B120S1-E1 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	SemiQ
제품 카테고리:	디스크리트 반도체 모듈
RoHS:
제품:	MOSFET-SiC SBD Modules
타입:	Silicon Carbide (SiC) Module
기술:	SiC
Vf - 순방향 전압:	1.49 V
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 5 V, + 10 V
장착 스타일:	Screw Mount
패키지/케이스:	SOT-227-4
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
시리즈:	GCMS
포장:	Tube
브랜드:	SemiQ
구성:	Single
COA(최종 조립 국가):	Not Available
COD(확산 공정 국가):	Not Available
COO(원산지):	PH
하강 시간:	25 ns
Id - 연속 드레인 전류:	113 A
Pd - 전력 발산:	395 W
제품 유형:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - 드레인 소스 저항:	28 mOhms
상승 시간:	8 ns
팩토리 팩 수량:	30
하위 범주:	Discrete Semiconductor Modules
트랜지스터 극성:	N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	46 ns
표준 턴-온 지연 시간:	25 ns
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	1.2 kV
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	4 V

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문서 필터:

데이터시트

GCMS020B120S1-E1 데이터시트 (PDF)

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

SiC MOSFET Power Modules

SemiQ SiC MOSFET Power Modules provide low on-state resistance at high temperatures with excellent switching performance, simplifying power electronic systems' thermal design. The SiC MOSFET Modules operate with zero switching loss to significantly increase efficiency and reducing heat dissipation, allowing smaller heatsinks.