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FP35R12N2T7BPSA2

Name: Infineon FP35R12N2T7BPSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FP35R12N2T7BPSA2
Price: 95557 KRW
Availability: InStock

Mouser 번호:

726-FP35R12N2T7BPSA2

제조업체 번호:

FP35R12N2T7BPSA2

제조업체:

Infineon Technologies

설명:

IGBT 모듈 1200 V, 35 A PIM IGBT module

데이터시트:

FP35R12N2T7BPSA2 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 15

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가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩95,557	₩95,557
	₩82,913.4	₩829,134
	₩72,372.2	₩7,599,081

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Infineon
제품 카테고리:	IGBT 모듈
RoHS:
제품:	IGBT Silicon Modules
구성:	3-Phase Inverter
콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO:	1.2 kV
콜렉터-이미터 포화 전압:	1.6 V
25 C의 지속적인 컬렉터 전류:	35 A
게이트-이미터 누설 전류:	100 nA
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 175 C
포장:	Tray
브랜드:	Infineon Technologies
제품 유형:	IGBT Modules
팩토리 팩 수량:	15
하위 범주:	IGBTs
기술:	Si
부품번호 별칭:	FP35R12N2T7 SP005597311 FP35R12N2T7BPSA1

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

FP35R12N2T7BPSA2 데이터시트 (PDF)

CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

1,200 V PIM IGBT 모듈

Infineon 1,200V PIM IGBT 모듈은 최신 마이크로 패턴 트렌치 기술을 기반으로 TRENCHSTOP™ IGBT7 및 EC7 다이오드 기술을 제공합니다. 이 기술은 손실을 상당히 줄이고 높은 수준의 제어 가능성을 제공합니다. 셀 개념은 이전에 사용된 사각 트렌치 셀과 비교하여 서브 미크론 메사로 분리된 병렬 트렌치 셀을 구현하는 것이 특징입니다. 이 칩은 산업용 드라이브 애플리케이션 및 태양광 에너지 시스템에 특별히 최적화되었습니다. 이는 훨씬 더 낮은 정적 손실, 더 높은 전력 밀도 및 더 부드러운 스위칭을 제공한다는 것을 의미합니다. Infineon 1,200V PIM IGBT 모듈에서 허용되는 최대 작동 온도를 최대 175°C까지높이면 전력 밀도를 대폭 높일 수 있습니다.

1,200V PIM 3상 입력 정류기

Infineon Technologies 1,200V PIM 3상 입력 정류기는 EconoPIM™ 2 1,200V, 100A 3상 PIM IGBT 모듈입니다. 이 정류기는 TRENCHSTOP™ IGBT7, 이미터 제어 7 다이오드 및 NTC가 특징입니다.정류기와 제동 초퍼가 통합된 PIM(전력 통합 모듈)을 사용하면 시스템 비용을 절감할 수 있습니다.