FGH40T120SQDNL4

onsemi
863-FGH40T120SQDNL4
FGH40T120SQDNL4

제조업체:

설명:
IGBT IGBT 1200V 40A UFS

데이터시트:
ECAD 모델:
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추가 정보
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단가:
₩-
합계:
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가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩14,814.8 ₩14,815
₩8,761.6 ₩87,616
₩7,799.6 ₩779,960

제품 속성 속성 값 속성 선택
onsemi
제품 카테고리: IGBT
RoHS:  
Si
TO-247-4
Through Hole
Single
1.2 kV
1.78 V
- 20 V, 20 V
160 A
454 W
- 55 C
+ 175 C
FGH40T120SQDNL4
Tube
브랜드: onsemi
COA(최종 조립 국가): Not Available
COD(확산 공정 국가): Not Available
COO(원산지): CN
게이트-이미터 누설 전류: 200 nA
제품 유형: IGBT Transistors
팩토리 팩 수량: 450
하위 범주: IGBTs
단위 중량: 9.195 g
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

1200V Field Stop Trench IGBTs

onsemi 1200V Field Stop Trench IGBTs feature minimized conduction losses by having a VCE(SAT) of 1.8V, lower than previous fast switching NPT IGBTs. The 1200V field stop trench IGBTs target hard switching industrial applications such as solar inverters, uninterruptible power supplies (UPS), and welders. The 1200V field stop trench IGBT series operates at high switching frequencies, and is 100% tested for clamped inductive switching at current levels of four times the rated current to guarantee a larger safe operating area. onsemi 1200V Field Stop Trench IGBTs are available in TO-247-3,  TO-247-4, and DPAK-3 packages, and are offered in 15A, 25A, and 40A ratings.

에너지 저장 솔루션

onsemi 에너지 저장 시스템(ESS)은 석탄, 원자력, 풍력, 태양광 등 다양한 발전원에서 생산된 전기를 배터리(전기화학), 압축 공기(기계), 용융 염(열) 등 다양한 형태로 저장합니다. 이 솔루션은 태양광 인버터 시스템에 연결된 배터리 에너지 저장 시스템에 중점을 둡니다.

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