FFSP20120A

Name: onsemi FFSP20120A
Brand: onsemi
SKU: 512-FFSP20120A
Price: 19905 KRW
Availability: InStock

이미지는 참조용으로만 사용하십시오
제품 사양을 참조하세요

Mouser 번호:

512-FFSP20120A

제조업체 번호:

FFSP20120A

제조업체:

onsemi

설명:

SiC 쇼트키 다이오드 1200V 20A Silicon Carbide Schtky Diode

데이터시트:

FFSP20120A 데이터시트

ECAD 모델:

무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기

추가 정보

onsemi FFSP20120A에 대해 자세히 알아보십시오.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	onsemi
제품 카테고리:	SiC 쇼트키 다이오드
RoHS:
장착 스타일:	Through Hole
패키지/케이스:	TO-220-2
구성:	Single
If - 순방향 전류:	20 A
Vrrm - 반복 역 전압:	1.2 kV
Vf - 순방향 전압:	1.45 V
If - 순방향 서지 전류:	135 A
Ir - 역 전류:	200 uA
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Vr - 역 전압:	1.2 kV
시리즈:	FFSP20120A
포장:	Tube
브랜드:	onsemi
Pd - 전력 발산:	340 W
제품 유형:	SiC Schottky Diodes
팩토리 팩 수량:	50
하위 범주:	Diodes & Rectifiers
상표명:	EliteSiC
단위 중량:	2.160 g

제품을 찾음:

유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

FFSP20120A 데이터시트

PCN

규정 준수 코드

KRHTS:: 8541109000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

원산지 분류

COO(원산지):: 대한민국
어셈블리 원산지:: 중국
COD(확산 공정 국가):: 대한민국

배송 시 국가는 변경될 수 있습니다.

1200V SiC 쇼트키 다이오드

onsemi 1200V 탄화규소(SiC) 쇼트키 다이오드는 실리콘 기반 장치에 우수한 스위칭 성능과 높은 신뢰성을 제공합니다. 이런 SiC 쇼트키 다이오드는 비역방향 회복 전류, 온도 독립 스위칭 및 탁월한 열 성능이 특징입니다. 이 시스템의 이점으로는 높은 효율, 빠른 작동 주파수, 높은 전력 밀도, 낮은 EMI, 감소된 시스템 크기 및 비용이 포함됩니다.

탄화규소 쇼트키 다이오드

onsemi 탄화규소(SiC) 쇼트키 다이오드는 실리콘 기반 장치에 우수한 스위칭 성능과 높은 신뢰성을 제공합니다. SiC 쇼트키 다이오드는 비역방향 회복 전류, 온도 독립 스위칭 및 탁월한 열 성능이 특징입니다. 시스템 이점으로는 고효율, 빠른 작동 주파수, 높은 전력 밀도, 낮은 EMI, 시스템 크기 및 비용 절감 등을 들 수 있습니다. onsemi는 차세대 전력 시스템 설계에 이상적인 다양한 전류 및 패키지 옵션으로 650V 및 1,200V 장치를 제공합니다.

D1 EliteSiC 다이오드

Onsemi D1 EliteSiC 다이오드는 첨단 전력 전자 장치 애플리케이션용으로 설계된 고성능 및 다목적 솔루션입니다. Onsemi D1의 정격 전압은 650 V, 1 200 V 및 1 700 V입니다. 이 다이오드는 다양한 설계 요구 사항을 충족할 수 있는 유연성을 제공합니다. D2PAK2, D2PAK3, TO-220-2, TO-247-2 및 TO-247-3 등 다양한 패키지를 특징으로 하는 D1 EliteSiC 다이오드는 설계자에게 보드 공간 및 열 성능을 최적화할 수 있는 옵션을 제공합니다.

와이드 밴드갭 SiC 장치

onsemi WBG(와이드 밴드갭) SiC(탄화규소) 장치는 실리콘에 비해 뛰어난 스위칭 성능과 더욱 높은 신뢰성을 제공하는 완전히 새로운 기술을 통합하고 있습니다. 최고의 효율, 빠른 동작 주파수, 증가된 전력 밀도, EMI 감소, 시스템 크기 및 비용 절감의 효과를 거둘 수 있습니다. onsemi 의 SiC 포트폴리오는 650V 및 1200V 다이오드 제품군, 650V 및 1200V IGBT와 SiC 다이오드로 구성된 PIM(전력 통합 모듈) 제품군, 650V 및 1200V 모스펫 제품군 그리고 SiC 모스펫 드라이버 제품군들이 있으며, AEC-Q100인증을 받은 제품을 포함합니다.

FFSP SiC 쇼트키 다이오드

onsemi의 FFSP SiC(탄화규소) 쇼트키 다이오드는 규소 소재 장치보다 뛰어난 탄화규소 소재 장치의 장점을 활용하도록 설계된 다이오드입니다. FFSP SiC 쇼트키 다이오드는 순방향 서지 성능이 대폭 높아지고 역방향 누출이 적어지고 역방향 회복 전류가 없는 점이 특징입니다. 이 SiC 쇼트키 다이오드는 온도에 독립적인 스위칭 특성과 우수한 열 성능도 특징입니다. 따라서 시스템 효율 향상, 작동 주파수 증가, 전력 밀도 증가, EMI 감소, 시스템 크기 및 비용 절감 효과를 거둘 수 있습니다.