FFSP1265A

Name: onsemi FFSP1265A
Brand: onsemi
SKU: 863-FFSP1265A
Price: 6059 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

863-FFSP1265A

제조업체 번호:

FFSP1265A

제조업체:

onsemi

설명:

SiC 쇼트키 다이오드 650V 12A SIC SBD

데이터시트:

FFSP1265A 데이터시트

ECAD 모델:

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	₩3,737.6	₩37,376
	₩3,431	₩343,100
	₩2,963.8	₩1,481,900
	₩2,847	₩2,847,000
10,000	견적

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	onsemi
제품 카테고리:	SiC 쇼트키 다이오드
RoHS:
장착 스타일:	Through Hole
패키지/케이스:	TO-220-2
구성:	Single
If - 순방향 전류:	12 A
Vrrm - 반복 역 전압:	650 V
Vf - 순방향 전압:	1.5 V
If - 순방향 서지 전류:	70 A
Ir - 역 전류:	200 uA
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
시리즈:	FFSP1265A
포장:	Tube
브랜드:	onsemi
Pd - 전력 발산:	115 W
제품 유형:	SiC Schottky Diodes
팩토리 팩 수량:	50
하위 범주:	Diodes & Rectifiers
상표명:	EliteSiC
Vr - 역 전압:	650 V
단위 중량:	2 g

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데이터시트

FFSP1265A 데이터시트

PCN

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

와이드 밴드갭 SiC 장치

onsemi WBG(와이드 밴드갭) SiC(탄화규소) 장치는 실리콘에 비해 뛰어난 스위칭 성능과 더욱 높은 신뢰성을 제공하는 완전히 새로운 기술을 통합하고 있습니다. 최고의 효율, 빠른 동작 주파수, 증가된 전력 밀도, EMI 감소, 시스템 크기 및 비용 절감의 효과를 거둘 수 있습니다. onsemi 의 SiC 포트폴리오는 650V 및 1200V 다이오드 제품군, 650V 및 1200V IGBT와 SiC 다이오드로 구성된 PIM(전력 통합 모듈) 제품군, 650V 및 1200V 모스펫 제품군 그리고 SiC 모스펫 드라이버 제품군들이 있으며, AEC-Q100인증을 받은 제품을 포함합니다.

탄화규소 쇼트키 다이오드

onsemi 탄화규소(SiC) 쇼트키 다이오드는 실리콘 기반 장치에 우수한 스위칭 성능과 높은 신뢰성을 제공합니다. SiC 쇼트키 다이오드는 비역방향 회복 전류, 온도 독립 스위칭 및 탁월한 열 성능이 특징입니다. 시스템 이점으로는 고효율, 빠른 작동 주파수, 높은 전력 밀도, 낮은 EMI, 시스템 크기 및 비용 절감 등을 들 수 있습니다. onsemi는 차세대 전력 시스템 설계에 이상적인 다양한 전류 및 패키지 옵션으로 650V 및 1,200V 장치를 제공합니다.

eFuses650V SiC 쇼트키 다이오드

onsemi 650V SiC(탄화규소) 쇼트키 다이오드는 실리콘 기반 장치에 우수한 스위칭 성능과 높은 신뢰성을 제공합니다. 이런 SiC 쇼트키 다이오드는 비역방향 회복 전류, 온도 독립 스위칭 및 탁월한 열 성능이 특징입니다. 이 시스템의 이점으로는 높은 효율, 빠른 작동 주파수, 높은 전력 밀도, 낮은 EMI, 감소된 시스템 크기 및 비용을 들 수 있습니다.

D1 EliteSiC 다이오드

Onsemi D1 EliteSiC 다이오드는 첨단 전력 전자 장치 애플리케이션용으로 설계된 고성능 및 다목적 솔루션입니다. Onsemi D1의 정격 전압은 650 V, 1 200 V 및 1 700 V입니다. 이 다이오드는 다양한 설계 요구 사항을 충족할 수 있는 유연성을 제공합니다. D2PAK2, D2PAK3, TO-220-2, TO-247-2 및 TO-247-3 등 다양한 패키지를 특징으로 하는 D1 EliteSiC 다이오드는 설계자에게 보드 공간 및 열 성능을 최적화할 수 있는 옵션을 제공합니다.

FFSP SiC 쇼트키 다이오드

onsemi의 FFSP SiC(탄화규소) 쇼트키 다이오드는 규소 소재 장치보다 뛰어난 탄화규소 소재 장치의 장점을 활용하도록 설계된 다이오드입니다. FFSP SiC 쇼트키 다이오드는 순방향 서지 성능이 대폭 높아지고 역방향 누출이 적어지고 역방향 회복 전류가 없는 점이 특징입니다. 이 SiC 쇼트키 다이오드는 온도에 독립적인 스위칭 특성과 우수한 열 성능도 특징입니다. 따라서 시스템 효율 향상, 작동 주파수 증가, 전력 밀도 증가, EMI 감소, 시스템 크기 및 비용 절감 효과를 거둘 수 있습니다.