FFSH2065BDN-F085

Name: onsemi FFSH2065BDN-F085
Brand: onsemi
SKU: 863-FFSH2065BDN-F085
Price: 14030 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

863-FFSH2065BDN-F085

제조업체 번호:

FFSH2065BDN-F085

제조업체:

onsemi

설명:

SiC 쇼트키 다이오드 650V 20A SIC SBD

데이터시트:

FFSH2065BDN-F085 데이터시트

ECAD 모델:

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	onsemi
제품 카테고리:	SiC 쇼트키 다이오드
RoHS:
REACH - SVHC:
장착 스타일:	Through Hole
패키지/케이스:	TO-247-3
구성:	Dual Anode Common Cathode
If - 순방향 전류:	20 A
Vrrm - 반복 역 전압:	650 V
Vf - 순방향 전압:	1.38 V
If - 순방향 서지 전류:	42 A
Ir - 역 전류:	40 uA
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
시리즈:	FFSH2065BDN_F085
자격:	AEC-Q101
포장:	Tube
브랜드:	onsemi
Pd - 전력 발산:	65 W
제품 유형:	SiC Schottky Diodes
팩토리 팩 수량:	30
하위 범주:	Diodes & Rectifiers
상표명:	EliteSiC
Vr - 역 전압:	650 V
단위 중량:	5.457 g

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PCN

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

D2 EliteSiC 다이오드

onsemi D2 EliteSiC 다이오드는 650V의 정격 전압이 필요한 애플리케이션을 위해 설계된 다양한 고성능 다이오드입니다. onsemi D2는 DPAK-3, D2PAK-2, D2PAK-3, PQFN-4, TO-220-2, TO-220-3, TO-247-2 및 TO-247-3를 포함한 다양한 패키지로 제공됩니다. 이 다이오드는 낮은 정전식 충전(QC)을 제공하며 낮은 순방향 전압으로 고속 스위칭에 맞게 최적화 되어 있습니다. 이러한 기능 덕분에 이 다이오드는 역률 보정(PFC) 및 출력 정류 애플리케이션에 이상적입니다.

와이드 밴드갭 SiC 장치

onsemi WBG(와이드 밴드갭) SiC(탄화규소) 장치는 실리콘에 비해 뛰어난 스위칭 성능과 더욱 높은 신뢰성을 제공하는 완전히 새로운 기술을 통합하고 있습니다. 최고의 효율, 빠른 동작 주파수, 증가된 전력 밀도, EMI 감소, 시스템 크기 및 비용 절감의 효과를 거둘 수 있습니다. onsemi 의 SiC 포트폴리오는 650V 및 1200V 다이오드 제품군, 650V 및 1200V IGBT와 SiC 다이오드로 구성된 PIM(전력 통합 모듈) 제품군, 650V 및 1200V 모스펫 제품군 그리고 SiC 모스펫 드라이버 제품군들이 있으며, AEC-Q100인증을 받은 제품을 포함합니다.

eFuses650V SiC 쇼트키 다이오드

onsemi 650V SiC(탄화규소) 쇼트키 다이오드는 실리콘 기반 장치에 우수한 스위칭 성능과 높은 신뢰성을 제공합니다. 이런 SiC 쇼트키 다이오드는 비역방향 회복 전류, 온도 독립 스위칭 및 탁월한 열 성능이 특징입니다. 이 시스템의 이점으로는 높은 효율, 빠른 작동 주파수, 높은 전력 밀도, 낮은 EMI, 감소된 시스템 크기 및 비용을 들 수 있습니다.

FFSPx065BDN-F085 자동차 SiC 쇼트키 다이오드

onsemi FFSPx065BDN-F085 자동차용 SiC(탄화규소) 쇼트키 다이오드는 SiC over Si(Silicon Carbide over Silicon)의 장점을 활용하도록 설계된 AEC-Q101 인증 장치입니다. FFSPx065BDN-F085 SiC 쇼트키 다이오드는 순방향 서지 성능이 대폭 높아지고 역방향 누출이 적어지고 역방향 회복 전류가 없는 점이 특징입니다. 이 SiC 쇼트키 다이오드는 온도에 독립적인 스위칭 및 우수한 열 성능도 제공합니다. 따라서 시스템 효율 향상, 작동 주파수 증가, 전력 밀도 증가, EMI 감소, 시스템 크기 및 비용 절감 효과를 거둘 수 있습니다.