FDD86250

Name: onsemi FDD86250
Brand: onsemi
SKU: 512-FDD86250
Price: 2686 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

512-FDD86250

제조업체 번호:

FDD86250

제조업체:

onsemi

설명:

MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET

데이터시트:

FDD86250 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩2,686.4	₩2,686
	₩1,795.8	₩17,958
	₩1,344.7	₩134,470
전체 릴(2500의 배수로 주문)
	₩1,343.2	₩3,358,000
25,000	견적

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	onsemi
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	DPAK-3 (TO-252-3)
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	150 V
Id - 연속 드레인 전류:	51 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	31 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	2 V
Qg - 게이트 전하:	33 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	132 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	PowerTrench
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	onsemi
구성:	Single
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	28 S
제품 유형:	MOSFETs
시리즈:	FDD86250
팩토리 팩 수량:	2500
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
단위 중량:	330 mg

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문서 필터:

데이터시트

FDD86250 데이터시트 (PDF)

PCN

KRHTS:: 8541299000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

NTDS015N15MC 차폐식 게이트 PowerTrench® MOSFET

onsemi NTDS015N15MC 차폐식 게이트 PowerTrench^® MOSFET은 온 상태 저항을 줄이고 우수한 스위칭 성능을 유지하도록 맞춤 설계된 N-채널 MOSFET입니다. 이 MOSFET은 150V 드레인-소스 전압(V_DSS), 10V에서 15mΩ의 최대 드레인-소스 저항(R_DS(on)), 50A의 드레인 전류(I_D)를 제공합니다. NTDS015N15MC MOSFET은 낮은 정전용량을 제공하여 드라이버 손실을 최소화하고 최적화된 게이트 전하를 제공하여 스위칭 손실을 최소화합니다. 일반적으로 2차 전원 공급 장치의 동기식 정류기 및 모터 제어장치에 사용됩니다.

N-Channel PowerTrench® MOSFETs

onsemi N-Channel PowerTrench MOSFETs are produced using onsemi's advanced PowerTrench process that has been specially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance. onsemi N-Channel PowerTrench MOSFETs are available in a variety of Drain to Source Voltage specifications, from 30V to 250V.

PowerTrench® MOSFETs

onsemi PowerTrench^® MOSFETs offer a broad portfolio of MOSFETs in the industry. These onsemi MOSFETs offer N-Channel and P-Channel versions optimized for low R_DS(ON) switching performance and ruggedness. Typical applications include load switches, primary switching, mobile computing, DC-DC converters, and synchronous rectifiers.