CG2H40045F

MACOM
941-CG2H40045F
CG2H40045F

제조업체:

설명:
GaN FET GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt

ECAD 모델:
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MACOM
제품 카테고리: GaN FET
RoHS:  
Screw Mount
440193
N-Channel
120 V
6 A
- 3.8 V
- 40 C
+ 150 C
브랜드: MACOM
개발 키트: CG2H40045F-TB
이득: 16 dB
최대 작동 주파수: 4 GHz
최소 작동 주파수: 0 Hz
출력 전력: 45 W
포장: Tray
제품 유형: GaN FETs
팩토리 팩 수량: 40
하위 범주: Transistors
기술: GaN
트랜지스터 타입: GaN HEMT
Vgs - 게이트 소스 항복 전압: - 10 V, 2 V
단위 중량: 9.105 g
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KRHTS:
8541299000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

CG2H40xx 및 CG2H30xx GaN HEMT

Wolfspeed /Cree CG2H40xx 및 CG2H30xx GaN HEMT는 고전자 이동도 트랜지스터로서, 28V 레일에서 작동합니다. CG2H40xx 및 CG2H30xx 트랜지스터는 다양한 RF 및 마이크로파 애플리케이션에 범용 광대역 솔루션을 제공합니다. 높은 효율, 높은 이득, 넓은 대역폭 성능을 자랑하는 이 HEMT는 선형 및 압축 증폭기 회로에 사용하기에 이상적입니다. CG2H40xx 및 CG2H30xx 트랜지스터는 나사 조임식, 플랜지, 솔더 다운, 알약 모양 패키지 및 2-리드 플랜지 패키지를 포함하는 다양한 패키지로 제공됩니다. 일반적으로 광대역 증폭기, 셀룰러 인프라, 레이더 등에 사용됩니다.
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