CG2H40025F

Name: MACOM CG2H40025F
Brand: MACOM
SKU: 941-CG2H40025F
Price: 288831 KRW
Availability: OutOfStock

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Mouser 번호:

941-CG2H40025F

제조업체 번호:

CG2H40025F

제조업체:

MACOM

설명:

GaN FET GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt

데이터시트:

CG2H40025F 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	MACOM
제품 카테고리:	GaN FET
RoHS:
장착 스타일:	Screw Mount
패키지/케이스:	440166
트랜지스터 극성:	N-Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	120 V
Id - 연속 드레인 전류:	3 A
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	- 3.8 V
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 150 C
브랜드:	MACOM
이득:	15 dB
최대 작동 주파수:	6 GHz
최소 작동 주파수:	0 Hz
출력 전력:	25 W
포장:	Tray
제품 유형:	GaN FETs
팩토리 팩 수량:	80
하위 범주:	Transistors
기술:	GaN
트랜지스터 타입:	GaN HEMT
Vgs - 게이트 소스 항복 전압:	- 10 V, 2 V
단위 중량:	10.566 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CG2H40xx 및 CG2H30xx GaN HEMT

Wolfspeed /Cree CG2H40xx 및 CG2H30xx GaN HEMT는 고전자 이동도 트랜지스터로서, 28V 레일에서 작동합니다. CG2H40xx 및 CG2H30xx 트랜지스터는 다양한 RF 및 마이크로파 애플리케이션에 범용 광대역 솔루션을 제공합니다. 높은 효율, 높은 이득, 넓은 대역폭 성능을 자랑하는 이 HEMT는 선형 및 압축 증폭기 회로에 사용하기에 이상적입니다. CG2H40xx 및 CG2H30xx 트랜지스터는 나사 조임식, 플랜지, 솔더 다운, 알약 모양 패키지 및 2-리드 플랜지 패키지를 포함하는 다양한 패키지로 제공됩니다. 일반적으로 광대역 증폭기, 셀룰러 인프라, 레이더 등에 사용됩니다.
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