CDF56G6511N TR13 PBFREE

Central Semiconductor
610-CDF56G6511NTR13P
CDF56G6511N TR13 PBFREE

제조업체:

설명:
GaN FET 650V, 11A, N-Channel GaN FET

ECAD 모델:
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₩7,266.8 ₩7,267
₩5,653.6 ₩56,536
₩4,070 ₩407,000
₩3,966.4 ₩1,983,200
₩3,759.2 ₩3,759,200
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₩3,226.4 ₩8,066,000

제품 속성 속성 값 속성 선택
Central Semiconductor
제품 카테고리: GaN FET
RoHS:  
SMD/SMT
DFN-8
N-Channel
1 Channel
650 V
11.5 A
190 mOhms
- 1.4 V, + 7 V
2.5 V
2.8 nC
- 55 C
+ 150 C
84 W
Depletion
브랜드: Central Semiconductor
구성: Single
COA(최종 조립 국가): Not Available
COD(확산 공정 국가): Not Available
COO(원산지): CN
하강 시간: 4 ns
최대 작동 주파수: 100 kHz
최소 작동 주파수: 0 Hz
포장: Reel
포장: Cut Tape
제품 유형: GaN FETs
상승 시간: 4 ns
팩토리 팩 수량: 2500
하위 범주: Transistors
기술: GaN
표준 턴-오프 지연 시간: 1.7 ns
표준 턴-온 지연 시간: 1.4 ns
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

GaN N-Channel FETs

Central Semiconductor GaN N-Channel FETs excel in high voltage and low RDS(ON), making them ideal for efficient soft-switching applications. Central Semiconductor GaN FETs come in 100V (60A), 150V (60A), 650V (11A), 650V (17A), and 700V (18A) versions. The devices are available in practical surface-mount, chip-scale packages, and bare dies. Ideally, these FETs are used in switch-mode power supplies, high-power chargers, and Electric Vehicle (EV) inverters.