BSM450D12P4G102

Name: ROHM Semiconductor BSM450D12P4G102
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BSM450D12P4G102
Price: 1124842 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

755-BSM450D12P4G102

제조업체 번호:

BSM450D12P4G102

제조업체:

ROHM Semiconductor

설명:

MOSFET 모듈 1200V, 447A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET

데이터시트:

BSM450D12P4G102 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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	₩979,528.6	₩11,754,343

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	ROHM Semiconductor
제품 카테고리:	MOSFET 모듈
RoHS:
기술:	SiC
장착 스타일:	Screw Mount
패키지/케이스:	Module
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	2 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	1.2 kV
Id - 연속 드레인 전류:	447 A
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	4.8 V
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	1.45 kW
포장:	Bulk
브랜드:	ROHM Semiconductor
구성:	Dual
하강 시간:	90 ns
길이:	152 mm
제품 유형:	MOSFET Modules
상승 시간:	80 ns
팩토리 팩 수량:	4
하위 범주:	Discrete and Power Modules
타입:	SiC Power Module
표준 턴-오프 지연 시간:	430 ns
표준 턴-온 지연 시간:	100 ns
너비:	62 mm

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

BSM450D12P4G102 데이터시트 (PDF)

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SiC 전력 모듈

ROHM Semiconductor의 SiC 전력 모듈은 SiC MOSFET과 SiC SBD가 집적된 하프 브리지 모듈입니다. 모듈들은 스위칭 손실이 감소해서 고주파 운용을 지원합니다. 최적화된 회로 설계 덕분에 기존 솔루션보다 부유 유도용량이 감소했습니다. 과도한 발열을 방지하기 위해 서미스터가 추가로 집적된 E 유형의 모델도 생산됩니다.