BSM180D12P3C007

ROHM Semiconductor
755-BSM180D12P3C007
BSM180D12P3C007

제조업체:

설명:
MOSFET 모듈 Half Bridge Module SiC UMOSFET & SBD

데이터시트:
ECAD 모델:
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₩833,432.4 ₩10,001,189

제품 속성 속성 값 속성 선택
ROHM Semiconductor
제품 카테고리: MOSFET 모듈
RoHS:  
SiC
Screw Mount
Module
N-Channel
2 Channel
1.2 kV
180 A
- 4 V, + 22 V
2.7 V
- 40 C
+ 150 C
880 W
BSMx
Tray
브랜드: ROHM Semiconductor
구성: Dual
하강 시간: 50 ns
높이: 21.1 mm
길이: 122 mm
제품 유형: MOSFET Modules
상승 시간: 70 ns
팩토리 팩 수량: 12
하위 범주: Discrete and Power Modules
타입: SiC Power Module
표준 턴-오프 지연 시간: 165 ns
표준 턴-온 지연 시간: 50 ns
Vr - 역 전압: 1.2 kV
너비: 45.6 mm
단위 중량: 302.171 g
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

CNHTS:
8504901900
USHTS:
8541590080
TARIC:
8541500000
MXHTS:
85415001
BRHTS:
85415020
ECCN:
EAR99

SiC(탄화 규소) 전력 소자

ROHM Semiconductor의 SiC 전력 소자는 규소만 사용한 전력 소자와 비교해서 절연 파괴 전계 강도 10배, 밴드 갭 3배, 열 전도성이 3배 높습니다. 덕분에 스위칭 손실과 온 상태 저항이 낮으며, 고온 작동을 지원합니다. 그 결과 전력 손실과 모듈 크기 모두 최소화했습니다. 설계 시 필요한 부품 수가 적어 설계 작업의 복잡도가 감소합니다.

SiC 전력 모듈

ROHM Semiconductor의 SiC 전력 모듈은 SiC MOSFET과 SiC SBD가 집적된 하프 브리지 모듈입니다. 모듈들은 스위칭 손실이 감소해서 고주파 운용을 지원합니다. 최적화된 회로 설계 덕분에 기존 솔루션보다 부유 유도용량이 감소했습니다. 과도한 발열을 방지하기 위해 서미스터가 추가로 집적된 E 유형의 모델도 생산됩니다.

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