AG091FLD3HRBTL

Name: ROHM Semiconductor AG091FLD3HRBTL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-AG091FLD3HRBTL
Price: 3507 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

755-AG091FLD3HRBTL

제조업체 번호:

AG091FLD3HRBTL

제조업체:

ROHM Semiconductor

설명:

MOSFET TO252 N-CH 60V 80A

라이프사이클:

신제품:

이 제조업체의 새로운 제품입니다.

데이터시트:

AG091FLD3HRBTL 데이터시트

ECAD 모델:

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수량	단가	합계
	₩3,507.6	₩3,508
	₩2,249.6	₩22,496
	₩1,524.4	₩152,440
	₩1,269.8	₩634,900
	₩1,219.5	₩1,219,500
전체 릴(2500의 배수로 주문)
	₩1,036	₩2,590,000
	₩1,025.6	₩5,128,000

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	ROHM Semiconductor
제품 카테고리:	MOSFET
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	TO-252-3
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	60 V
Id - 연속 드레인 전류:	80 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	7.5 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	2.5 V
Qg - 게이트 전하:	22 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	76 W
채널 모드:	Enhancement
자격:	AEC-Q101
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
브랜드:	ROHM Semiconductor
구성:	Single
하강 시간:	11 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	12 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	15 ns
팩토리 팩 수량:	2500
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	50 ns
표준 턴-온 지연 시간:	18 ns

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USHTS:: 8541290065
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TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

오토모티브40 A&80 A파워 MOSFET

로옴 세미컨덕터 오토모티브40 A및80 A파워 MOSFET은 N채널 및 P채널 디바이스입니다. 이 AEC-Q101 인증 MOSFET은 낮은 온저항, ±80 A / ±160 A 펄스 드레인 전류, 최대 142 W 전력 손실을 특징으로 합니다. 40 A 및 80 A 파워 MOSFET은 -55 °C ~ +175 °C의 넓은 동작 온도 범위를 지원하며, 100 % 애벌런치 테스트를 완료했습니다. 이 파워 MOSFET은 ADAS, 자동차 전장, 조명 애플리케이션에 최적화되어 있습니다.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.