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1ED3860MU12MXUMA1

Name: Infineon 1ED3860MU12MXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-1ED3860MU12MXUMA
Price: 9664 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

726-1ED3860MU12MXUMA

제조업체 번호:

1ED3860MU12MXUMA1

제조업체:

Infineon Technologies

설명:

게이트 드라이버 ISOLATED DRIVER

데이터시트:

1ED3860MU12MXUMA1 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 417

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₩-

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가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩9,664.4	₩9,664
	₩7,429.6	₩74,296
	₩6,867.2	₩171,680
	₩6,260.4	₩626,040
	₩5,964.4	₩1,491,100
	₩5,786.8	₩2,893,400
전체 릴(1000의 배수로 주문)
	₩5,091.2	₩5,091,200

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Infineon
제품 카테고리:	게이트 드라이버
RoHS:
제품:	Isolated Gate Drivers
장착 스타일:	SMD/SMT
드라이버 수:	1 Driver
출력 수:	1 Output
출력 전류:	6 A
공급 전압 - 최소:	3 V
공급 전압 - 최대:	25 V
상승 시간:	15 ns
하강 시간:	15 ns
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 125 C
시리즈:	Enhanced X3 digital
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
브랜드:	Infineon Technologies
COA(최종 조립 국가):	Not Available
COD(확산 공정 국가):	Not Available
COO(원산지):	ID
습도에 민감:	Yes
제품 유형:	Gate Drivers
팩토리 팩 수량:	1000
하위 범주:	PMIC - Power Management ICs
상표명:	EiceDRIVER
부품번호 별칭:	1ED3860MU12M SP005350845

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Product Catalogs

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USHTS:: 8542310075
ECCN:: EAR99

절연 게이트 드라이버

Infineon 절연 게이트 드라이버는 자기 결합 코어리스 변압기(CT) 기술을 사용하여 갈바닉 절연을 통해 신호를 전송합니다. 이 드라이버는 기능 기본, 강화 절연, UL 1577 및 VDE 0884 인증 제품을 제공합니다. 절연은 매우 큰 전압 스윙 허용(예: ±1,200V). 이 절연 드라이버는 MOSFET, IGBT, IGBT 모듈, SiC MOSFET 및 GaN HEMT 구동을 위한 가장 중요한 특징과 매개변수를 통합하고 있습니다.

EiceDRIVER 절연 및 비절연 게이트 드라이버 IC

Infineon EiceDriver™ 절연 및 비절연 게이트 드라이버 IC는 MOSFET, IGBT 및 IGBT 모듈에 최적화된 저전압 게이트 드라이버 솔루션을 제공합니다. 이러한 절연 및 비절연 게이트 드라이버 IC는 안정적이고 효율적인 애플리케이션을 구축하도록 설계되었습니다. 디스크리트 폼이나 전력 모듈의 모든 전원 스위치에 대한 최적의 게이트 드라이브 구성이 필수적입니다. Infineon 게이트 드라이버는 0.1부터 최대 10A까지 다양한 일반적인 출력 전류 옵션을 제공하기 때문에 다양한 크기의 전원 장치에 적합합니다.

EiceDRIVER™ 강화 절연 게이트 드라이버 IC

Infineon Technologies EiceDRIVER™ 강화 절연 게이트 드라이버 IC는 DESAT, 밀러 클램프, MOSFET용 소프트 오프, IGBT 및 SiC MOSFET과 같은 보호 기능을 제공합니다. 이러한 절연 드라이버는 CT(코어리스 변압기) 기술를 기반으로 하며, 300kV/μs에 이르는 세계적 수준의 CMTI(공통 모드 과도응답 내성)를 가능하게 합니다. 밀러 클램프 및 정확한 단락 보호(DESAT)는 CoolSiC™ SiC MOSFET 및 TRENCHSTOP™ IGBT7을 구동할 때 기생 턴온 및 단락을 방지하여 우수한 애플리케이션 안정성을 제공합니다. EiceDRIVER™ 절연 드라이버는 최대 9A의 구동 능력을 제공하므로, 부스터 솔루션이 필요 없습니다. 이 단일 채널 및 2채널 게이트 드라이버 IC는 X3 아날로그 제품군(1ED34xx) 및 X3 디지털 제품군 게이트 드라이버 IC로 제공됩니다. 1ED34xx 및 1ED38xx 게이트 드라이버 IC는 연면거리가 8mm인 공간 절약형 DS0-16 미세 피치 와이드 바디 패키지에서 9A 출력 전류와 40V_최대 출력 전압을 제공합니다. 이 IC는 단락 클램핑 및 액티브 차단 기능을 갖추고 있으며 1500V DC 태양광 인버터 애플리케이션을 위한 최고의 절연 기능을 제공합니다.

EiceDRIVER™ 게이트 드라이버 IC

Infineon EiceDRIVER™ 게이트 드라이버 IC는 MOSFET, IGBT, SiC MOSFET 및 GaN HEMT 장치용으로 설계되었습니다. EiceDRIVERTM™ 게이트 드라이버는 0.1A에서 최대 10A까지 광범위한 일반 출력 전류 옵션을 제공합니다. 이 장치는 DESAT(빠른 단락 보호), 능동 밀러 클램프, 슛스루 보호, 결함, 셧다운 및 과전류 보호와 같은 강력한 게이트 드라이브 보호 기능을 갖추고 있습니다. 이러한 특징 덕분에 이 드라이버 IC는 CoolGaN™ 및 CoolSiC™ 를 포함한 실리콘 및 와이드 밴드갭 전원 장치 모두에 매우 적합합니다. 이것이 바로 Infineon이 모든 전원 스위치와 모든 애플리케이션에 적합한 500개 이상의 EiceDRIVER™ 게이트 드라이버 IC 솔루션을 제공하는 이유입니다.

EiceDRIVER™ 향상된 X3 디지털 제품군

Infineon Technologies EiceDRIVER™ Enhanced X3 디지털 제품군은 DESAT, 소프트 오프, UVLO, Miller 클램프, TLTO(2단계 끄기) 및 결함 기능을 위한 I²C 구성 가능성을 제공하여 신뢰성이 높은 시스템의 설계를 단순화합니다. X3 디지털 제품군(1ED38xx)은 I²C 인터페이스(핀 SDA 및 SCL)를 통해 입력 측에서 조정할 수 있습니다.