8 bit 256 kbit 반도체

반도체의 유형

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Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 256k Nonvolatile SRAM 19재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 19

Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 256k Nonvolatile SRAM 20재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 20

Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 256k Nonvolatile SRAM 34재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 34

Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM 21재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 21

Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM 10재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 10

Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 256k Nonvolatile SRAM 29재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 29


Renesas / Dialog NOR 플래시 256 Kbit, 3.0V (2.3V to 3.6V), -40C to 85C, TSSOP (Tube), Single, Dual SPI NOR flash 1,437재고 상태
최소: 1
배수: 1

Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 256Kb 3V 32Kx8 Serial MRAM(자기 메모리) 10,250재고 상태
최소: 1
배수: 1

Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 256k Nonvolatile SRAM 10재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 10

Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 256k Nonvolatile SRAM 9재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 9

Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리) 170재고 상태
최소: 1
배수: 1

Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 256Kb 3.3V 32Kx8 SPI 1,407재고 상태
4,000예상 2026-11-11
최소: 1
배수: 1
: 4,000

Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 256Kb 3.3V 32Kx8 SPI 1,159재고 상태
2,280예상 2026-09-17
최소: 1
배수: 1

Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 256Kb 3.3V 32Kx8 SPI 58재고 상태
2,280예상 2026-11-11
최소: 1
배수: 1

Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
164주문 중
최소: 1
배수: 1
최대: 164

Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 256k Nonvolatile SRAM with Battery Monit
80예상 2026-10-19
최소: 1
배수: 1
최대: 80

Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
311예상 2027-02-18
최소: 1
배수: 1

Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1

Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 256k Nonvolatile SRAM 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1


Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 256k Nonvolatile SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1


Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 256k Nonvolatile SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1

Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM with Battery 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1

Infineon Technologies NVRAM 256Kb 3V 3.4Mhz 32K x 8 SPI nvSRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Infineon Technologies NVRAM 256Kb 3V 40Mhz 32K x 8 SPI nvSRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Infineon Technologies NVRAM 256Kb 1.95V 35ns nvSRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,990
배수: 2,990