18 bit 반도체

반도체의 유형

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Texas Instruments FIFO 512 x 18 Synchronous FIFO Memory 비재고 리드 타임 18 주
최소: 160
배수: 160

Texas Instruments FIFO 4096 x 18 Synch FIFO Memory 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1
배수: 1

Renesas Electronics FIFO 256x18 3.3V SYNC FIFO 비재고 리드 타임 18 주
최소: 270
배수: 90

GSI Technology DRAM 16M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O 재고 없음
최소: 1
배수: 1

GSI Technology DRAM 16M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O 재고 없음
최소: 1
배수: 1

GSI Technology DRAM 32M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O 재고 없음
최소: 1
배수: 1

GSI Technology DRAM 32M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O 재고 없음
최소: 1
배수: 1

Renesas Electronics FIFO 1Mx9 / 512Kx18 FIFO 2.5V TERASYNC 리드 타임 18 주
최소: 1
배수: 1
없음
Renesas Electronics FIFO 256Kx18 /512Kx9 3.3V SUPERSYNC II FIFO 비재고 리드 타임 18 주
최소: 50
배수: 1
없음
Renesas Electronics FIFO 256Kx18 /512Kx9 3.3V SUPERSYNC II FIFO 비재고 리드 타임 18 주
최소: 50
배수: 1
없음
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x18, Common I/O, 400MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA 재고 없음
최소: 104
배수: 104

ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x18, Common I/O, 300MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA 재고 없음
최소: 104
배수: 104

ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS 비재고 리드 타임 28 주
최소: 104
배수: 104

ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS 비재고 리드 타임 28 주
최소: 104
배수: 104

ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 300MHz, RoHS, wBGA 재고 없음
최소: 104
배수: 104

ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS 비재고 리드 타임 28 주
최소: 104
배수: 104

ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS 비재고 리드 타임 28 주
최소: 104
배수: 104

ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 300MHz, RoHS, wBGA 재고 없음
최소: 104
배수: 104

ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 933Mhz, tRC=8ns, RoHS, Ind. Temp 재고 없음
최소: 119
배수: 119

ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 800Mhz, tRC=8ns, RoHS, Ind. Temp 재고 없음
최소: 119
배수: 119

ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 1066Mhz, tRC=10ns, RoHS 재고 없음
최소: 119
배수: 119

ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 933Mhz, tRC=10ns, RoHS 재고 없음
최소: 119
배수: 119

ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 800Mhz, tRC=10ns, RoHS 재고 없음
최소: 119
배수: 119

ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 1066Mhz, tRC=10ns, RoHS, Ind. Temp 재고 없음
최소: 119
배수: 119

ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 933Mhz, tRC=10ns, RoHS, Ind. Temp 재고 없음
최소: 119
배수: 119