Analog Devices Inc. HMC219B GaAs MMIC 기본 믹서

Analog Devices HMC219B GaAs MMIC 기본 믹서는 노출된 패드를 포함한 초소형 8-리드, MINI_SO_EP 패키지로 제공되는 범용, 이중 평형 믹서입니다. HMC219B 믹서는 최적화된 밸룬 구조 덕분에 탁월한 LO-RF 및 LO-IF 절연 성능을 제공합니다. HMC219B는 전형적으로 40dB에서 LO(국부 발진기)와 RF(무선 주파수) 간 절연을, 35dB에서 LO와 IF(중간 주파수) 간 절연을, 22dB에서 RF와 IF 간 절연을 제공합니다.

설계자는 HMC219B 믹서를 업컨버터, 다운컨버터, 2상 복조기 또는 위상 비교기로 사용할 수 있습니다. 다운컨버터 사용 시, HMC219B 믹서는 2.5~7GHz 사이의 RF(무선 주파수)를 DC~3GHz 사이의 IF(중간 주파수)로 하향 변환합니다. 업컨버터로 사용 시, 이 믹서는 DC~3GHz 사이의 IF를 2.5~7GHz 사이의 RF로 상향 변환합니다. 이 믹서는 MMIC 성능이 일관되므로 시스템 작동이 개선되고 HiperLAN, U-NII 및 ISM 규정 준수가 보장됩니다.

GaAs MESFET(금속 반도체 전계 효과 트랜지스터) 프로세스를 사용하여 개발된 HMC219B는 외부 구성요소나 정합 회로가 필요하지 않습니다. 또한, HMC219B 믹서는 와이어 본딩이 불필요하고 대용량, 표면 마운트 제조 기법과 호환됩니다.

특징

  • 변환 손실: 9dB(표준)
  • LO와 RF 절연: 40dB(표준)
  • LO와 IF 절연: 35dB(표준)
  • RF와 IF 절연: 22dB(표준)
  • 입력 IP3: 18dBm(표준)
  • 입력 P1dB: 11dBm(표준)
  • 입력 IP2: 55dBm(표준)
  • 수동형 이중 평형 토폴로지
  • 8-리드, 3mm × 3mm, MINI_SO_EP

애플리케이션

  • 마이크로파 무선 장치
  • HiperLAN(고성능 무선 근거리 통신망) 및 U-NII(비면허 국가 정보 기간망)
  • ISM(산업, 과학 및 의료)

기능 블록 선도

블록 선도 - Analog Devices Inc. HMC219B GaAs MMIC 기본 믹서
게시일: 2017-09-27 | 갱신일: 2022-04-25