PN2222 양극성 트랜지스터 - BJT

결과: 35
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onsemi 양극성 트랜지스터 - BJT 600mA 60V NPN
없음
Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 600 mA 30 V 60 V 5 V 1.6 V 625 mW 250 MHz - 55 C + 150 C Bulk
onsemi / Fairchild 양극성 트랜지스터 - BJT NPN Gen Purp Amp 불가용

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 600 mA 30 V 60 V 5 V 1 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Bulk
onsemi / Fairchild 양극성 트랜지스터 - BJT 불가용
Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Reel
onsemi / Fairchild 양극성 트랜지스터 - BJT NPN Transistor General Purpose 불가용
Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 600 mA 30 V 60 V 5 V 500 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Reel
Central Semiconductor 양극성 트랜지스터 - BJT NPN 75Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 800mA 625mW 비재고 리드 타임 10 주
최소: 10,000
배수: 2,000
: 2,000

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 70 V 75 V 6 V 1 V 625 mW 300 MHz - 65 C + 150 C PN2222 Reel
onsemi / Fairchild 양극성 트랜지스터 - BJT 불가용
Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Bulk
onsemi / Fairchild 양극성 트랜지스터 - BJT TO-92 불가용
Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Bulk
Central Semiconductor 양극성 트랜지스터 - BJT NPN 75Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 800mA 625mW 비재고 리드 타임 14 주
최소: 10,000
배수: 2,000
: 2,000

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 70 V 75 V 6 V 1 V 625 mW 300 MHz - 65 C + 150 C PN2222 Reel
onsemi / Fairchild 양극성 트랜지스터 - BJT NPN GPA 불가용

Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 1 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222
onsemi / Fairchild 양극성 트랜지스터 - BJT NPN Gen Purp Amp 불가용

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 1 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Bulk
onsemi / Fairchild 양극성 트랜지스터 - BJT NPN Transistor General Purpose 불가용
Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 500 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Bulk
onsemi / Fairchild 양극성 트랜지스터 - BJT NPN Transistor General Purpose 불가용
Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Reel
Central Semiconductor 양극성 트랜지스터 - BJT NPN 75Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 800mA 625mW 비재고 리드 타임 6 주
최소: 10,000
배수: 2,500

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 40 V 75 V 6 V 300 mV 625 mW 250 MHz - 65 C + 150 C PN2222 Bulk
onsemi / Fairchild 양극성 트랜지스터 - BJT 불가용
Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Bulk
onsemi / Fairchild PN2222RA
onsemi / Fairchild 양극성 트랜지스터 - BJT TO-92 불가용
Si PN2222
onsemi / Fairchild 양극성 트랜지스터 - BJT NPN General Purpose Amplifier 불가용

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Ammo Pack
onsemi / Fairchild 양극성 트랜지스터 - BJT NPN General Purpose Transistor 불가용
Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 500 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Bulk
onsemi / Fairchild 양극성 트랜지스터 - BJT NPN Gen Purp Amp 불가용

Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 600 mA 30 V 60 V 5 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Ammo Pack
onsemi 양극성 트랜지스터 - BJT 600mA 60V PNP

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 600 mA 30 V 60 V 5 V 1.6 V 625 mW 250 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Bulk
onsemi 양극성 트랜지스터 - BJT NPN Transistor General Purpose

Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 600 mA 30 V 60 V 5 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Reel, Cut Tape
onsemi 양극성 트랜지스터 - BJT NPN Transistor General Purpose 7,757재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 600 mA 30 V 60 V 5 V 1 V 625 mW 300 MHz + 150 C PN2222 Ammo Pack
Toshiba PN2222A,126
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT N/A
Si NPN Single 600 mA 40 V 75 V 6 V 500 mW 300 MHz - 65 C + 150 C PN2222
onsemi / Fairchild 양극성 트랜지스터 - BJT 불가용
Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 600 mA 30 V 60 V 5 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Reel
onsemi 양극성 트랜지스터 - BJT NPN Gen Purp Amp 21,981재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 600 mA 30 V 60 V 5 V 1 V 625 mW 300 MHz + 150 C PN2222 Reel, Cut Tape
onsemi / Fairchild 양극성 트랜지스터 - BJT NPN General Purpose Amplifier 불가용

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Reel