NXH030P120M3F1PTG

Name: onsemi NXH030P120M3F1PTG
Brand: onsemi
SKU: 863-NXH030P12M3F1PTG
Price: 111894 KRW
Availability: InStock

이미지는 참조용으로만 사용하십시오
제품 사양을 참조하세요

Mouser 번호:

863-NXH030P12M3F1PTG

제조업체 번호:

NXH030P120M3F1PTG

제조업체:

onsemi

설명:

MOSFET 모듈 30M 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE

라이프사이클:

신제품:

이 제조업체의 새로운 제품입니다.

데이터시트:

NXH030P120M3F1PTG 데이터시트

ECAD 모델:

무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기

재고 상태: 25

재고:: 25 즉시 배송 가능

예기치 않은 오류가 발생했습니다. 나중에 다시 시도하십시오.
공장 리드 타임:: 19 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

본 제품의 배송비는 무료

가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩111,894.4	₩111,894
	₩93,075	₩930,750
	₩84,767.6	₩9,493,971

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	onsemi
제품 카테고리:	MOSFET 모듈
RoHS:
기술:	SiC
장착 스타일:	Screw Mount
패키지/케이스:	PIM-18
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	2 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	1.2 kV
Id - 연속 드레인 전류:	42 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	38.5 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	4.4 V
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	100 W
시리즈:	NXH030P120M3F1PTG
포장:	Tray
브랜드:	onsemi
구성:	Half-Bridge
하강 시간:	9.4 ns
높이:	12.35 mm
길이:	63.3 mm
제품 유형:	MOSFET Modules
상승 시간:	6.6 ns
팩토리 팩 수량:	28
하위 범주:	Discrete and Power Modules
상표명:	EliteSiC
타입:	Half Bridge
표준 턴-오프 지연 시간:	84.8 ns
표준 턴-온 지연 시간:	19.6 ns
너비:	34.1 mm

제품을 찾음:

유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

NXH030P120M3F1PTG 데이터시트

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NXH0xxP120M3F1 SiC(탄화 규소) 모듈

onsemi NXH0xxP120M3F1 SiC(탄화 규소) 모듈에는 하프 브리지 토폴로지와 서미스터를 기반으로 하는 8mΩ/1,200V, 10mΩ/1,200V, 15mΩ/1,200V 및 30mΩ/1,200V M3S SiC MOSFET이 포함되어 있으며 F1 패키지로 제공됩니다. 이 모듈은 사전 적용된 TIM(열 인터페이스 재료) 및 사전 적용된 TIM이 없습니다. NXH0xxP120M3F1 모듈은 압입 핀으로 설계되었으며 무연, 무할로겐이며 RoHS 규격을 준수합니다. 이 전력 모듈은 태양광 인버터, 산업용 전력, EV(전기차) 충전소 및 UPS(무정전 전원 공급 장치)에 사용됩니다.