WP7113PD1BT/BD-P22

Name: Kingbright WP7113PD1BT/BD-P22
Brand: Kingbright
SKU: 604-WP7113PD1BTBDP22
Price: 1255 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

604-WP7113PD1BTBDP22

제조업체 번호:

WP7113PD1BT/BD-P22

제조업체:

Kingbright

설명:

포토다이오드 5mm PHOTODIODE

데이터시트:

WP7113PD1BT/BD-P22 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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	₩874.5	₩8,745
	₩640.9	₩64,090
	₩537.3	₩268,650
	₩388.4	₩388,400
	₩367.9	₩735,800
	₩346	₩1,730,000
	₩344.6	₩3,446,000
	₩316.8	₩7,920,000

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Kingbright
제품 카테고리:	포토다이오드
RoHS:
제품:	Photodiodes
패키지/케이스:	T-1 3/4
장착 스타일:	Through Hole
피크 파장:	940 nm
암전류:	10 nA
Vr - 역 전압:	170 V
상승 시간:	6 ns
하강 시간:	6 ns
반 강도 각도:	20 deg
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 85 C
브랜드:	Kingbright
포장:	Bulk
Pd - 전력 발산:	150 mW
광전류:	2 uA
제품 유형:	Photodiodes
팩토리 팩 수량:	1000
하위 범주:	Optical Detectors & Sensors
단위 중량:	309.803 mg

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

CNHTS:: 8541490000
CAHTS:: 8541410000
USHTS:: 8541410000
JPHTS:: 8541400103
TARIC:: 8541401000
MXHTS:: 8541410100
BRHTS:: 85414011
ECCN:: EAR99

NPN Si Phototransistors

Kingbright NPN Si Phototransistors are made with NPN silicon phototransistor chips. These phototransistors are mechanically and spectrally matched to infrared-emitting LED lamps. The NPN Si phototransistors operate at a temperature range from -40°C to +85°C. These phototransistors feature a maximum collector-to-emitter voltage of 30V and an emitter-to-collector voltage of 5V. Typical applications include infrared applied systems, optoelectronic switches, and photodetector control circuits.