NVMFWS004N10MCT1G

onsemi
863-VMFWS004N10MCT1G
NVMFWS004N10MCT1G

제조업체:

설명:
MOSFET PTNG 100V STD SO8FL

데이터시트:
ECAD 모델:
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추가 정보
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재고 상태: 936

재고:
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공장 리드 타임:
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최소: 1   배수: 1
단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:

가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩5,283.6 ₩5,284
₩3,463.2 ₩34,632
₩2,427.2 ₩242,720
₩2,116.4 ₩1,058,200
₩1,968.4 ₩1,968,400
전체 릴(1500의 배수로 주문)
₩1,968.4 ₩2,952,600

제품 속성 속성 값 속성 선택
onsemi
제품 카테고리: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DFN-5
N-Channel
1 Channel
100 V
138 A
3.9 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
48 nC
- 55 C
+ 175 C
164 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
브랜드: onsemi
구성: Single
COA(최종 조립 국가): Not Available
COD(확산 공정 국가): Not Available
COO(원산지): MY
하강 시간: 13 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소: 120 S
제품 유형: MOSFETs
상승 시간: 18 ns
시리즈: NVMFWS004N10MC
팩토리 팩 수량: 1500
하위 범주: Transistors
트랜지스터 타입: 1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간: 39 ns
표준 턴-온 지연 시간: 25 ns
제품을 찾음:
유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.
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속성 선택됨: 0

데이터시트

PCN

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

NVMFWS004N10MC 단일 N-채널 전력 MOSFET

Onsemi NVMFWS004N10MC 단일 N-채널 전력 MOSFET은 138 A 연속 드레인 전류, 10 V RDS(ON) 에서 3.9 mΩ 및 100 V 드레인-소스 전압을 제공합니다. NVMFWS004N10MC는 콤팩트하고 효율적인 설계를 위해 개발된 5mm x 6mm 평면 리드 패키지로 제공됩니다. onsemi AEC-Q101 인증 MOSFET은 PPAP 가능하며 자동차 애플리케이션에 이상적입니다.

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