브라우저에서 자바스크립트를 사용하지 않도록 설정한 것으로 보입니다. 로그인하지 않으면 이 페이지의 일부 기능이 작동하지 않습니다.

NVMFS4C305NET1G

Name: onsemi NVMFS4C305NET1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFS4C305NET1G
Price: 1983 KRW
Availability: InStock

이미지는 참조용으로만 사용하십시오
제품 사양을 참조하세요

Mouser 번호:

863-NVMFS4C305NET1G

제조업체 번호:

NVMFS4C305NET1G

제조업체:

onsemi

설명:

MOSFET NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO

라이프사이클:

신제품:

이 제조업체의 새로운 제품입니다.

데이터시트:

NVMFS4C305NET1G 데이터시트

ECAD 모델:

무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기

추가 정보

onsemi NVMFS4C305NET1G에 대해 자세히 알아보십시오.

재고 상태: 1,314

재고:: 1,314 즉시 배송 가능

예기치 않은 오류가 발생했습니다. 나중에 다시 시도하십시오.
공장 리드 타임:: 14 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩1,983.2	₩1,983
	₩1,243.2	₩12,432
	₩822.9	₩82,290
	₩643.8	₩321,900
	₩555	₩555,000
전체 릴(1500의 배수로 주문)
	₩509.1	₩763,650

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	onsemi
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	SO-8FL
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	30 V
Id - 연속 드레인 전류:	127 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	2.8 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	2.2 V
Qg - 게이트 전하:	30 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	79 W
채널 모드:	Enhancement
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
브랜드:	onsemi
구성:	Single
COA(최종 조립 국가):	Not Available
COD(확산 공정 국가):	Not Available
COO(원산지):	MY
하강 시간:	5 ns
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	26 ns
팩토리 팩 수량:	1500
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	26 ns
표준 턴-온 지연 시간:	8 ns

제품을 찾음:

유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

NVMFS4C305NET1G 데이터시트

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Trench6 N-채널 MV MOSFET

onsemi Trench6 N-채널 MV MOSFET은 차폐식 게이트 기술을 통합하고 있는 고급 전력 트렌치 프로세스를 사용하여 생산된 30V, 40V 및 60V MOSFET입니다. 이 프로세스는 ON 상태 저항을 최소화하되, 동급 최고의 소프트 바디 다이오드로 우수한 스위칭 성능을 유지하도록 최적화되었습니다.