NVMFD5C680NLET1G

onsemi
863-NVMFD5C680NLET1G
NVMFD5C680NLET1G

제조업체:

설명:
MOSFET T6 60V LL S08FL DS

라이프사이클:
신제품:
이 제조업체의 새로운 제품입니다.
데이터시트:
ECAD 모델:
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추가 정보
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재고 상태: 1,350

재고:
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공장 리드 타임:
15 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.
최소: 1   배수: 1
단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:

가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩2,131.2 ₩2,131
₩1,346.8 ₩13,468
₩895.4 ₩89,540
₩700 ₩350,000
₩606.8 ₩606,800
전체 릴(1500의 배수로 주문)
₩565.4 ₩848,100

제품 속성 속성 값 속성 선택
onsemi
제품 카테고리: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-8
N-Channel
2 Channel
60 V
20 A
28 mOhms
20 V
2.2 V
5 nC
- 55 C
+ 175 C
24 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
브랜드: onsemi
구성: Dual
ACO(최종 조립 국가): Not Available
COD(확산 공정 국가): Not Available
COO(원산지): MY
하강 시간: 23 ns
제품 유형: MOSFETs
상승 시간: 25 ns
팩토리 팩 수량: 1500
하위 범주: Transistors
트랜지스터 타입: 2 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간: 13 ns
표준 턴-온 지연 시간: 6.4 ns
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

데이터시트

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NVMFD5C 전력 MOSFET

onsemi NVMFD5C 전력 MOSFET은 AEC-Q101 인증을 받고 PPAP가 가능하며 자동차 애플리케이션용으로 적합합니다. NVMFD5C MOSFET은 전도 손실 최소화를 위한 낮은 ON 저항과 드라이버 손실 최소화를 위한 낮은 QG 및 정전용량이 특징입니다. 이 전력 MOSFET은 100% 애벌랜치 테스트를 거친 제품으로, 향상된 광학 검사를 위한 웨터블 플랭크 옵션과 함께 사용 가능합니다.

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