N01S830BAT22I

Name: onsemi N01S830BAT22I
Brand: onsemi
SKU: 863-N01S830BAT22I
Price: 5781 KRW
Availability: InStock

이미지는 참조용으로만 사용하십시오
제품 사양을 참조하세요

Mouser 번호:

863-N01S830BAT22I

제조업체 번호:

N01S830BAT22I

제조업체:

onsemi

설명:

SRAM 1MB 3V BATT BU FUNCT

데이터시트:

N01S830BAT22I 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기

추가 정보

onsemi N01S830BAT22I에 대해 자세히 알아보십시오.

재고 상태: 1,535

재고:: 1,535 즉시 배송 가능

예기치 않은 오류가 발생했습니다. 나중에 다시 시도하십시오.
공장 리드 타임:: 21 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩5,781.6	₩5,782
	₩5,591.8	₩55,918
	₩5,256	₩105,120
	₩4,847.2	₩242,360
	₩4,745	₩474,500
	₩4,569.8	₩913,960
	₩4,526	₩2,263,000

대체 포장

제조업체 부품 번호:

N01S830BAT22IT

포장:

Reel, Cut Tape, MouseReel

구매 가능 정보:

재고 상태

가격:

₩7,840

최소:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	onsemi
제품 카테고리:	SRAM
RoHS:
메모리 크기:	1 Mbit
조직:	128 k x 8
액세스 시간:	25 ns
최대 클록 주파수:	20 MHz
인터페이스 타입:	SPI
공급 전압 - 최대:	5.5 V
공급 전압 - 최소:	2.5 V
공급 전류 - 최대:	20 mA
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 85 C
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	TSSOP-8
포장:	Tube
브랜드:	onsemi
메모리 타입:	SDR
습도에 민감:	Yes
제품 유형:	SRAM
시리즈:	N01S830
팩토리 팩 수량:	100
하위 범주:	Memory & Data Storage
타입:	Synchronous
단위 중량:	400 mg

제품을 찾음:

유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

N01S830BAT22I 데이터시트 (PDF)

PCN

CNHTS:: 8542329000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542320041
TARIC:: 8542324500
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

N01S8 1Mb 초저 전력 직렬 SRAM

onsemi N01S8x 1Mb 초저 전력 직렬 SRAM은 고속 성능 및 저전력을 제공합니다. N01S8x SRAM은 단일 칩 선택(CS) 입력 장치와 함께 작동하고 단순한 직렬 주변 기기 인터페이스(SPI) 프로토콜을 사용합니다. SPI 모드에서, 단일 데이터 입력(SI) 및 데이터 출력(SO) 라인은 장치 내의 데이터에 액세스하기 위해 클록(SCK) 장치와 함께 사용됩니다. 이중 모드에서, 다중화 데이터 입력/데이터 출력(SIO0-SIO1) 라인 2개가 사용됩니다. QUAD 모드에서, 메모리에 액세스하기 위해 클록 장치와 함께 다중화 데이터 입력/데이터 출력(SIO0-SIO3) 라인 4개가 사용됩니다. N01S8x SRAM는 -40°C~+85°C의 넓은 온도 범위에서 작동하고 8 리드 TSSOP 패키지로 제공됩니다.
자세히 알아보기