FCB070N65S3

onsemi
512-FCB070N65S3
FCB070N65S3

제조업체:

설명:
MOSFET SuperFET3 650V 70mOhm

ECAD 모델:
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재고 상태: 1,082

재고:
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가격 (KRW)

수량 단가
합계
컷 테이프/MouseReel™
₩10,278.4 ₩10,278
₩7,358.4 ₩73,584
₩5,650.2 ₩565,020
₩5,635.6 ₩2,817,800
전체 릴(800의 배수로 주문)
₩5,285.2 ₩4,228,160
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제품 속성 속성 값 속성 선택
onsemi
제품 카테고리: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
650 V
44 A
70 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
78 nC
- 55 C
+ 150 C
312 W
Enhancement
SuperFET III
Reel
Cut Tape
MouseReel
브랜드: onsemi
구성: Single
하강 시간: 16 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소: 29 S
제품 유형: MOSFETs
상승 시간: 52 ns
시리즈: FCB070N65S3
팩토리 팩 수량: 800
하위 범주: Transistors
트랜지스터 타입: 1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간: 89 ns
표준 턴-온 지연 시간: 26 ns
단위 중량: 4 g
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

KRHTS:
8541299000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

에너지 인프라 솔루션

onsemi의 에너지 인프라 솔루션은 정부 정책 및 증가하는 수요에 따라 설정된 목표를 달성하기 위해, 빠르게 성장하는 에너지 생성, 유통 및 저장과 관련된 문제들을 해결합니다. 효율 목표 상승, 이산화탄소 배출량 감소, 재생 가능 에너지와 청정 에너지 등이 에너지 인프라 진화의 핵심 요소입니다. onsemi는 에너지 효율적인 솔루션에 대한 포괄적인 포트폴리오를 제공하여 탄화 규소(SiC) 다이오드, 지능형 전력 모듈 및 전류 감지 증폭기 등 고출력 애플리케이션의 까다로운 요구 사항을 충족합니다.

SuperFET® III MOSFET

onsemi SuperFET® III MOSFET은 충전 균형 기술의 고전압(TJ = 150ºC에서 700V) 초접합(SJ) MOSFET입니다. 이 기술은 낮은 온저항(59mΩ 또는 62mΩ RDS(on), 일반) 및 낮은 게이트 전하(78nC Qg 일반)로 우수한 성능을 제공합니다. SuperFET III MOSFET은 전도 손실을 최소화하도록 설계되었으며 탁월한 스위칭 성능, 및 드레인 소스 전압(dv/dt)의 극한 상승율에 대한 내성을 제공합니다. Fairchild SuperFET III은 소형화 및 고효율성을 위한 다양한 전력 시스템에 매우 적합합니다.