SIC674CD-T1-GE3

Vishay
78-SIC674CD-T1-GE3
SIC674CD-T1-GE3

제조업체:

설명:
게이트 드라이버 55A VRPOWER INTGRATED POWER STAGE

라이프사이클:
신제품:
이 제조업체의 새로운 제품입니다.
데이터시트:
ECAD 모델:
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추가 정보
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가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩1,168 ₩1,168
₩695 ₩6,950
₩598.6 ₩14,965
₩467.2 ₩46,720
₩389.8 ₩97,450
₩292 ₩292,000
전체 릴(3000의 배수로 주문)
₩248.2 ₩744,600
₩211.7 ₩1,905,300
₩192.7 ₩3,468,600

제품 속성 속성 값 속성 선택
Vishay
제품 카테고리: 게이트 드라이버
RoHS:  
Driver ICs - Various
Low-Side
SMD/SMT
MLP55-31L
1 Driver
1 Output
55 A
2.5 V
24 V
- 40 C
+ 125 C
SiC674CD
Reel
Cut Tape
브랜드: Vishay
입력 전압 - 최대: 24 V
입력 전압 - 최소: 2.5 V
작동 공급 전류: 20 mA
제품 유형: Gate Drivers
차단: Shutdown
팩토리 팩 수량: 3000
하위 범주: PMIC - Power Management ICs
기술: SiC
상표명: VRPower
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속성 선택됨: 0

데이터시트

PCN

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CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

SiC674 55 A VRPower® 집적 전원단

Vishay Semiconductors SiC674 55A VRPower® 통합 전력단은 동기식 벅 애플리케이션용으로 설계되었으며 최소한의 셧다운 전류로 높은 전류, 효율성 및 전력 밀도를 제공합니다. Vishay Semiconductors SiC674는 컴팩트한 5mm x 5mm MLP 패키지로 제공됩니다. SiC674은 위상당 최대 55A 연속 전류의 전압 레귤레이터 설계를 지원합니다. Vishay의 고급 TrenchFET® 기술로 구축된 내부 전원 MOSFET은 업계 최고의 성능을 위해 스위칭 및 전도 손실을 최소화합니다.

광학 절연 MOSFET 드라이버

Vishay 광학 절연 MOSFET 드라이버는 저전압 MOSFET의 게이트를 구동하는데 필요한 전압을 제공합니다. 게이트 전압은 태양광 전지에 의해 생성되며 출력 측에 전원 공급 장치가 필요하지 않습니다. 따라서 저전압 MOSFET 사용 시 설계를 간소화할 수 있습니다. 단일 채널 VOM1271T은 단 10mA의 입력 순방향 전류로 8.4V 출력 전압을 제공합니다. 이중 채널 VO1263AACTR는 14.5 V 출력 전압을 제공합니다.

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