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IRFRC20PBF-BE3

Name: Vishay IRFRC20PBF-BE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-IRFRC20PBF-BE3
Price: 3655 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

78-IRFRC20PBF-BE3

제조업체 번호:

IRFRC20PBF-BE3

제조업체:

Vishay Semiconductors

설명:

MOSFET TO252 600V 2A N-CH MOSFET

데이터시트:

IRFRC20PBF-BE3 데이터시트

ECAD 모델:

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재고 상태: 8,749

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가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩3,655.6	₩3,656
	₩2,412.4	₩24,124
	₩1,657.6	₩165,760
	₩1,326.1	₩663,050
	₩1,296.5	₩1,296,500
	₩1,087.8	₩3,263,400
	₩1,074.5	₩9,670,500

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Vishay
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	DPAK-3 (TO-252-3)
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	600 V
Id - 연속 드레인 전류:	2 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	4.4 Ohms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	4 V
Qg - 게이트 전하:	18 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	42 W
채널 모드:	Enhancement
포장:	Bulk
브랜드:	Vishay Semiconductors
ACO(최종 조립 국가):	Not Available
COD(확산 공정 국가):	Not Available
COO(원산지):	TW
하강 시간:	25 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	1.4 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	23 ns
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	23 ns
표준 턴-온 지연 시간:	10 ns

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

Technical Resources

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK^® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.