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XPJR6604PB,LXHQ

Name: Toshiba XPJR6604PB,LXHQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-XPJR6604PBLXHQ
Price: 3606 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

757-XPJR6604PBLXHQ

제조업체 번호:

XPJR6604PB,LXHQ

제조업체:

Toshiba

설명:

MOSFET 40V UMOS9 0.66mohm S-TOGL

데이터시트:

XPJR6604PB,LXHQ 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 3,360

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공장 리드 타임:: 14 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(1500의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩3,606.2	₩3,606
	₩2,219.2	₩22,192
	₩2,014.8	₩201,480
	₩2,000.2	₩1,000,100
전체 릴(1500의 배수로 주문)
	₩1,708.2	₩2,562,300
	₩1,693.6	₩15,242,400

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Toshiba
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	40 V
Id - 연속 드레인 전류:	200 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	530 uOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	3 V
Qg - 게이트 전하:	128 nC
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	375 W
채널 모드:	Enhancement
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Toshiba
구성:	Single
하강 시간:	54 ns
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	42 ns
팩토리 팩 수량:	1500
하위 범주:	Transistors
표준 턴-오프 지연 시간:	152 ns
표준 턴-온 지연 시간:	73 ns

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

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Models

Product Catalogs

Selection Guide 2024 - MOSFETs

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

L-TOGL 및 S-TOGL AEC-Q 40V/80V/100V N-채널 MOSFET

Toshiba L-TOGL 및 S-TOGL AEC-Q101 40V/80V/100V N-채널 MOSFET은 매우 낮은 온저항, 높은 드레인 전류 정격 및 높은 방열을 제공합니다. 이는 높은 방열 패키지(L-TOGL(대형 트랜지스터 아웃라인 걸윙 리드) 및 S-TOGL(소형 트랜지스터 아웃라인 걸윙 리드)를 U-MOS IX-H 및 U-MOS X-H 칩 공정과 결합하여 달성됩니다. Toshiba L-TOGL 및 S-TOGL MOSFET은 또한 고전류 기능과 높은 방열을 제공하여 다양한 자동차 애플리케이션에서 전력 밀도를 향상시키는 데 도움이 됩니다. L-TOGL 패키지는 기존 TO-220SM(W) 패키지와 크기가 동일합니다. 그러나 XPQR3004PB는 전류 정격을 크게 향상시키고 온 상태 저항을 일반적으로 0.23mΩ으로 낮춥니다. 설치 면적이 최적화된 L-TOGL 패키지는 동일한 크기의 TO-220SM(W) 패키지와 비교할 때 열 특성을 개선하는 데 도움이 됩니다.

U-MOSIII MOSFETs

Toshiba U-MOSIII MOSFETs are single- and dual-channel MOSFETs ideal for high-speed switching applications. These Toshiba MOSFETs offer a low drain to source on-resistance and a low voltage gate drive.