TK9J90E,S1E

Toshiba
757-TK9J90ES1E
TK9J90E,S1E

제조업체:

설명:
MOSFET PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-3PN

데이터시트:
ECAD 모델:
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수량 단가
합계
₩5,890.4 ₩5,890
₩2,974.8 ₩29,748
₩2,560.4 ₩256,040
₩2,368 ₩1,184,000

제품 속성 속성 값 속성 선택
Toshiba
제품 카테고리: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-3P
N-Channel
1 Channel
900 V
9 A
1.3 Ohms
- 30 V, 30 V
2.5 V
46 nC
- 55 C
+ 150 C
250 W
Enhancement
MOSVIII
Tray
브랜드: Toshiba
구성: Single
COA(최종 조립 국가): CN
COD(확산 공정 국가): JP
COO(원산지): CN
하강 시간: 35 ns
제품 유형: MOSFETs
상승 시간: 40 ns
시리즈: TK9J90E
팩토리 팩 수량: 25
하위 범주: Transistors
트랜지스터 타입: 1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간: 140 ns
표준 턴-온 지연 시간: 80 ns
단위 중량: 1.600 g
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

KRHTS:
8541299000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

π-MOS VIII MOSFETs

Toshiba π-MOS VIII MOSFETs are 10V gate drive single N-channel devices based on the Toshiba eighth-generation planar semiconductor process, which combines high levels of cell integration with optimized cell design. The technology supports reduced gate charge and capacitance compared to prior generations without losing the benefits of low RDS(ON). Available with 800V and 900V ratings, these MOSFETs target applications such as flyback converters in LED lighting, supplementary power supplies, and other circuits that require current switching below 5.0A. These devices are offered in a standard TO-220 through-hole form factor and a surface-mounted DPAK package.

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