TK7A65W,S5X

Toshiba
757-TK7A65WS5X
TK7A65W,S5X

제조업체:

설명:
MOSFET Power MOSFET N-Channel

데이터시트:
ECAD 모델:
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재고:
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단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:

가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩3,387.2 ₩3,387
₩1,664.4 ₩16,644
₩1,547.6 ₩154,760
₩1,175.3 ₩587,650
₩1,013.2 ₩1,013,200
₩981.1 ₩4,905,500

제품 속성 속성 값 속성 선택
Toshiba
제품 카테고리: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
6.8 A
640 mOhms
- 30 V, 30 V
2.5 V
15 nC
- 55 C
+ 150 C
30 W
Enhancement
DTMOSIV
Tube
브랜드: Toshiba
구성: Single
하강 시간: 4 ns
제품 유형: MOSFETs
상승 시간: 13 ns
시리즈: TK7A65W
팩토리 팩 수량: 50
하위 범주: Transistors
표준 턴-오프 지연 시간: 52 ns
표준 턴-온 지연 시간: 35 ns
단위 중량: 2 g
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

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KRHTS:
8541299000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the RDS(on) makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.

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