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TK16V60W5,LVQ

Name: Toshiba TK16V60W5,LVQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK16V60W5LVQ
Price: 6570 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

757-TK16V60W5LVQ

제조업체 번호:

TK16V60W5,LVQ

제조업체:

Toshiba

설명:

MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN 8?8-OS PD=139W F=1MHZ

데이터시트:

TK16V60W5,LVQ 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 2,495

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수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(2500의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩6,570	₩6,570
	₩5,080.8	₩50,808
	₩3,635.4	₩363,540
	₩3,474.8	₩1,737,400
	₩3,153.6	₩3,153,600
전체 릴(2500의 배수로 주문)
	₩2,832.4	₩7,081,000

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Toshiba
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	DFN8x8-5
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	600 V
Id - 연속 드레인 전류:	15.8 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	245 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 30 V, 30 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	3 V
Qg - 게이트 전하:	43 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	139 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	DTMOSIV
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Toshiba
구성:	Single
하강 시간:	5 ns
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	40 ns
시리즈:	TK16G60W
팩토리 팩 수량:	2500
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	100 ns
표준 턴-온 지연 시간:	75 ns
단위 중량:	175 mg

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

TK16V60W5,LVQ 데이터시트 (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

TK16x60W Si N 채널 MOSFET(DTMOSIV)

Toshiba TK16x60W Si N-채널 MOSFET(DTMOSIV)는 DTMOSIV 세대의 칩 설계를 나타내며 다양한 변형으로 제공됩니다. Si N 채널 MOSFET은 낮은 드레인 소스 온 저항과 빠른 역 복구 시간이 특징입니다. 이 MOSFET은 게이트 스위칭을 쉽게 제어할 수 있습니다. TK16x60W MOSFET은 다양한 크기로 제공되며 DFN8x8, TO-247, TO-3P(N), D2PAK, TO-220 및 TO-220SIS 다양한 패키지로 제공됩니다. 이 TK16x60W Si N-채널 MOSFET은 스위칭 전압 레귤레이터에 사용됩니다.

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in R_DS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the R_DS(on) makes it possible to house lower R_DS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.