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TK16J60W5,S1VQ

Name: Toshiba TK16J60W5,S1VQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK16J60W5S1VQ
Price: 8497 KRW
Availability: OutOfStock

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Mouser 번호:

757-TK16J60W5S1VQ

제조업체 번호:

TK16J60W5,S1VQ

제조업체:

Toshiba

설명:

MOSFET TO-3PN(OS) PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS

데이터시트:

TK16J60W5,S1VQ 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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수량	단가	합계
	₩8,497.2	₩8,497
	₩4,949.4	₩49,494
	₩4,044.2	₩404,420
	₩3,416.4	₩1,708,200
	₩3,401.8	₩3,401,800

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Toshiba
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	Through Hole
패키지/케이스:	TO-3PN-3
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	600 V
Id - 연속 드레인 전류:	15.8 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	230 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 30 V, 30 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	4.5 V
Qg - 게이트 전하:	43 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	130 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	DTMOSIV
포장:	Tube
브랜드:	Toshiba
구성:	Single
하강 시간:	5 ns
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	40 ns
팩토리 팩 수량:	25
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	100 ns
표준 턴-온 지연 시간:	75 ns
단위 중량:	4.600 g

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문서 필터:

데이터시트

TK16J60W5,S1VQ 데이터시트 (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in R_DS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the R_DS(on) makes it possible to house lower R_DS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.

TK16x60W Si N 채널 MOSFET(DTMOSIV)

Toshiba TK16x60W Si N-채널 MOSFET(DTMOSIV)는 DTMOSIV 세대의 칩 설계를 나타내며 다양한 변형으로 제공됩니다. Si N 채널 MOSFET은 낮은 드레인 소스 온 저항과 빠른 역 복구 시간이 특징입니다. 이 MOSFET은 게이트 스위칭을 쉽게 제어할 수 있습니다. TK16x60W MOSFET은 다양한 크기로 제공되며 DFN8x8, TO-247, TO-3P(N), D2PAK, TO-220 및 TO-220SIS 다양한 패키지로 제공됩니다. 이 TK16x60W Si N-채널 MOSFET은 스위칭 전압 레귤레이터에 사용됩니다.