브라우저에서 자바스크립트를 사용하지 않도록 설정한 것으로 보입니다. 로그인하지 않으면 이 페이지의 일부 기능이 작동하지 않습니다.

TK12A80W,S4X

Name: Toshiba TK12A80W,S4X
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK12A80WS4X
Price: 5927 KRW
Availability: InStock

이미지는 참조용으로만 사용하십시오
제품 사양을 참조하세요

Mouser 번호:

757-TK12A80WS4X

제조업체 번호:

TK12A80W,S4X

제조업체:

Toshiba

설명:

MOSFET N-Ch 800V 1400pF 23nC 11.5A 45W

데이터시트:

TK12A80W,S4X 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기

추가 정보

Toshiba TK12A80W,S4X에 대해 자세히 알아보십시오.

재고 상태: 2,476

재고:: 2,476 즉시 배송 가능

예기치 않은 오류가 발생했습니다. 나중에 다시 시도하십시오.
공장 리드 타임:: 20 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩5,927.6	₩5,928
	₩2,890.8	₩28,908
	₩2,642.6	₩264,260
	₩2,540.4	₩6,351,000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Toshiba
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	Through Hole
패키지/케이스:	TO-220-3
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	800 V
Id - 연속 드레인 전류:	11.5 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	380 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	3 V
Qg - 게이트 전하:	23 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	45 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	DTMOSIV
포장:	Tube
브랜드:	Toshiba
구성:	Single
하강 시간:	11 ns
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	40 ns
시리즈:	TK12A80W
팩토리 팩 수량:	50
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	130 ns
표준 턴-온 지연 시간:	70 ns
단위 중량:	2 g

제품을 찾음:

유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

TK12A80W,S4X 데이터시트 (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

이 기능을 활성화하려면 자바스크립트가 필요합니다.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in R_DS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the R_DS(on) makes it possible to house lower R_DS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.