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UCC28782ARTWR

Name: Texas Instruments UCC28782ARTWR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-UCC28782ARTWR
Price: 3093 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

595-UCC28782ARTWR

제조업체 번호:

UCC28782ARTWR

제조업체:

Texas Instruments

설명:

스위칭 컨트롤러 High-density flyback controller for acti A 595-UCC28782ARTWT

데이터시트:

UCC28782ARTWR 데이터시트

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 1,109

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수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(3000의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩3,093.2	₩3,093
	₩2,294	₩22,940
	₩2,086.8	₩52,170
	₩1,864.8	₩186,480
	₩1,761.2	₩440,300
	₩1,687.2	₩843,600
	₩1,642.8	₩1,642,800
전체 릴(3000의 배수로 주문)
	₩1,583.6	₩4,750,800

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

대체 포장

제조업체 부품 번호:

UCC28782ARTWT

포장:

Reel, Cut Tape, MouseReel

구매 가능 정보:

재고 상태

가격:

₩4,114

최소:

유사 제품

제조업체:

Texas Instruments

제조업체 번호:

UCC28782ARTWT

설명:

스위칭 컨트롤러 High-density flyback controller for acti A 595-UCC28782ARTWR

현재 부품과 비교

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Texas Instruments
제품 카테고리:	스위칭 컨트롤러
RoHS:
토폴로지:	Flyback
출력 수:	1 Output
전환 주파수:	1.5 MHz
듀티 사이클 - 최대:	99 %
출력 전압:	19.95 V
출력 전류:	3.25 A
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 125 C
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	WQFN-24
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Texas Instruments
COA(최종 조립 국가):	Not Available
COD(확산 공정 국가):	Not Available
COO(원산지):	CN
개발 키트:	UCC28782EVM-030
하강 시간:	32 ns
절연:	Isolated
작동 공급 전류:	235 uA
작동 공급 전압:	14 V to 34 V
출력 전력:	70 W
제품:	High Density Active Clamp Flyback Controllers
제품 유형:	Switching Controllers
상승 시간:	1 us
시리즈:	UCC28782
차단:	Shutdown
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	PMIC - Power Management ICs

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

UCC28782ARTWR 데이터시트

Application Notes

PCN

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CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542310030
ECCN:: EAR99

UCC28782 ACF(능동 클램프 플라이백) 컨트롤러

Texas Instruments UCC28782 고밀도 ACF(액티브 클램프 플라이백) 컨트롤러는 USB Type C™ PD 애플리케이션용으로 설계되었습니다. 이 장치는 누설 인덕턴스 에너지를 복구하고 전체 부하 범위에서 적응형 ZVS 추적을 통해 93% 이상의 효율을 제공합니다. 1.5MHz 최대 주파수를 사용하면 자기를 최소화할 수 있습니다. 주파수 디더링은 EMI 마진을 개선하는 데 도움이 됩니다. 또한 UCC28782에는 동적 바이어스 전력 관리 기능이 통합되어 있어 Si 또는 GaN MOSFET의 게이트 드라이브를 최적화할 수 있습니다.