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UCC28780DR

Name: Texas Instruments UCC28780DR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-UCC28780DR
Price: 2803 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

595-UCC28780DR

제조업체 번호:

UCC28780DR

제조업체:

Texas Instruments

설명:

스위칭 컨트롤러 1-MHz High Frequency Active Clamp Flybac A 595-UCC28780D

데이터시트:

UCC28780DR 데이터시트

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 1,474

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공장 리드 타임:: 12 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(2500의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩2,803.2	₩2,803
	₩2,058.6	₩20,586
	₩1,868.8	₩46,720
	₩1,664.4	₩166,440
	₩1,576.8	₩394,200
	₩1,518.4	₩759,200
	₩1,460	₩1,460,000
전체 릴(2500의 배수로 주문)
	₩1,422	₩3,555,000
	₩1,391.4	₩6,957,000

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

대체 포장

제조업체 부품 번호:

UCC28780D

포장:

Tube

구매 가능 정보:

재고 상태

가격:

₩3,300

최소:

유사 제품

제조업체:

Texas Instruments

제조업체 번호:

UCC28780D

설명:

스위칭 컨트롤러 1-MHz High Frequency Active Clamp Flybac A 595-UCC28780DR

현재 부품과 비교

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Texas Instruments
제품 카테고리:	스위칭 컨트롤러
RoHS:
토폴로지:	Flyback
출력 수:	1 Output
전환 주파수:	1 MHz
듀티 사이클 - 최대:	99 %
출력 전압:	19.853 V
출력 전류:	2.25 A
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 125 C
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	SOIC-Narrow-16
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Texas Instruments
설명/기능:	High Frequency Active Clamp Flyback Controller
개발 키트:	UCC28780EVM-002
하강 시간:	10 ns
절연:	Isolated
작동 공급 전류:	2.5 mA
작동 공급 전압:	15 V
제품:	Flyback Controllers
제품 유형:	Switching Controllers
상승 시간:	10 ns
시리즈:	UCC28780
차단:	Shutdown
팩토리 팩 수량:	2500
하위 범주:	PMIC - Power Management ICs
단위 중량:	238.500 mg

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

UCC28780DR 데이터시트

Application Notes

Images

Mechanical Outline Drawing

Models

UCC28780DR Symbol & Footprint by SnapMagic

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CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542310030
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

UCC28780 제로 전압 스위칭 플라이백 컨트롤러

Texas Instruments UCC28780 제로 전압 스위칭 플라이백 컨트롤러는 고밀도 AC-DC 전원 공급 장치를 구현하는 고주파 능동 클램프 플라이백 컨트롤러입니다. 이 전원 공급 장치는 DoE 레벨 VI 및 EU CoC V5 Tier-2와 같은 엄격한 글로벌 효율 표준을 준수합니다. 사용자 프로그래밍이 가능한 고급 제어 법칙 기능을 통해 실리콘(Si) 및 갈륨 나이트 라이드(GaN) 전력 FET 모두를 위해 성능을 최적화할 수 있습니다. 드라이버 및 GaN FET를 결합하고 있는 스위칭 장치를 사용한 직접적인 작동 성능은 로직 레벨 게이트 신호를 통해 추가로 개선되고 출력을 구현합니다.