UCC27212DR

Texas Instruments
595-UCC27212DR
UCC27212DR

제조업체:

설명:
게이트 드라이버 4-A 120-V half brid ge gate driver with

라이프사이클:
신제품:
이 제조업체의 새로운 제품입니다.
ECAD 모델:
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단가:
₩-
합계:
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가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩4,158.8 ₩4,159
₩2,693.6 ₩26,936
₩2,442 ₩61,050
₩2,057.2 ₩205,720
₩1,938.8 ₩484,700
₩1,687.2 ₩843,600
₩1,450.4 ₩1,450,400
₩1,339.4 ₩3,348,500
₩1,309.8 ₩6,549,000

제품 속성 속성 값 속성 선택
Texas Instruments
제품 카테고리: 게이트 드라이버
RoHS:  
Half-Bridge Driver
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
SOIC-8
2 Driver
2 Output
3.7 A, 4.5 A
7 V
17 V
Non-Inverting
7.2 ns
5.5 ns
- 40 C
+ 150 C
브랜드: Texas Instruments
COA(최종 조립 국가): MX
COD(확산 공정 국가): JP
COO(원산지): MX
개발 키트: UCC27212EVM-328
입력 전압 - 최대: 17 V
입력 전압 - 최소: 7 V
로직 타입: TTL
작동 공급 전류: 1.4 mA
제품 유형: Gate Drivers
전파 지연 - 최대: 42 ns
팩토리 팩 수량: 2500
하위 범주: PMIC - Power Management ICs
기술: Si
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

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USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

UCC27212/UCC27212-Q1 하이 측 및 로우 측 드라이버

Texas Instruments UCC27212/UCC27212-Q1 고주 파 하이 측 및 로우 측 드라이버는 5V까지 확장된 작동 범위를 제공하므로 전력 손실을 줄일 수 있습니다. 피크 출력 풀업 및 풀다운 전류는 4A 소스 및 4A 싱크이며 풀업 및 풀다운 저항은 0.9Ω입니다. 이러한 특징 덕분에 MOSFET의 Miller Plateau를 통해 전환하는 동안 스위칭 손실을 최소화한 상태에서 대용량 전력 MOSFET를 구동할 수 있습니다. 입력 구조는 –10V를 직접 처리하여 견고성을 향상시킬수 있으며 또한 직접 인터페이스를 실현하여 정류 다이오드를 사용하지 않고 변압기를 게이트 구동(gate-drive)할 수 있습니다. 이 입력 장치도 공급전압으로부터 독립되어 최대 정격은 20V입니다. UCC27212/UCC27212-Q1(HS 핀)의 스위칭 노드는 최대 -18V를 처리할 수 있으므로 기생 인덕턴스 및 부유 정전용량으로 인한 고유 네거티브 전압으로부터 하이 측 채널을 보호할 수 있습니다. UCC27212/UCC27212-Q1은 히스테리시스를 증가시켜 아날로그 또는 디지털 PWM 컨트롤러의 잡음 내성을 개선할 수 있습니다.UCC27212-Q1 장치는 자동차 애플리케이션에 대한 AEC-Q100 인증을 받았습니다.