UCC21750DW

595-UCC21750DW
UCC21750DW

제조업체:

설명:
갈바닉 절연 게이트 드라이버 5.7kVrms +/-10A sin gle-channel isolated A 595-UCC21750DWR

라이프사이클:
수명 종료:
제품 단종이 예정되어 있으며 제조업체에서 생산을 중단할 것입니다.
데이터시트:
ECAD 모델:
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재고 상태: 1

재고:
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합계
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₩8,125.2 ₩81,252
₩7,266.8 ₩181,670
₩6,778.4 ₩813,408
₩6,497.2 ₩1,819,216
₩6,334.4 ₩3,293,888
₩6,142 ₩6,142,000
₩6,008.8 ₩15,142,176

대체 포장

제조업체 부품 번호:
UCC21750DWR
포장:
Reel, Cut Tape, MouseReel
구매 가능 정보:
재고 상태
가격:
₩6,734
최소:
1

제품 속성 속성 값 속성 선택
Texas Instruments
제품 카테고리: 갈바닉 절연 게이트 드라이버
RoHS:  
UCC21750
SMD/SMT
SOIC-16
- 40 C
+ 125 C
985 mW
130 ns
33 ns
27 ns
Tube
브랜드: Texas Instruments
구성: Inverting, Non-Inverting
습도에 민감: Yes
드라이버 수: 1 Driver
출력 수: 1 Output
출력 전류: 10 A
출력 전압: 33 V
제품: Isolated Gate Drivers
제품 유형: Galvanically Isolated Gate Drivers
팩토리 팩 수량: 40
하위 범주: PMIC - Power Management ICs
공급 전압 - 최대: 33 V
공급 전압 - 최소: 3 V
기술: SiC
단위 중량: 754.500 mg
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

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CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

UCC21750/UCC21750-Q1 단일 채널 게이트 드라이버

Texas Instruments UCC21750/UCC21750-Q1 단일 채널 게이트 드라이버는 고급 보호 기능을 갖춘 최대 2,121V DC 작동 전압의 SiC MOSFET 및 IGBT를 위해 설계된 갈바닉 절연 게이트 드라이버입니다. 이 장치는 동급 최고의 동적 성능과 견고성을 제공합니다. UCC21750/UCC21750-Q1은 최대 ±10A의 피크 소스 및 싱크 전류를 제공합니다. 입력 측은 SiO2 용량성 절연 기술로 출력 측에서 분리되어 최대 1.5kVRMS 의 작동 전압과 12.8kVPK 의 서지 내성을 지원합니다. 이 제품은 40년 이상의 절연 차단 수명과 낮은 부품 간 스큐 및 150V/ns 이상의 CMTI(공통 모드 잡음 내성)을 제공합니다.

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