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LMG3411R150RWHT

Name: Texas Instruments LMG3411R150RWHT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG3411R150RWHT
Price: 20764 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

595-LMG3411R150RWHT

제조업체 번호:

LMG3411R150RWHT

제조업체:

Texas Instruments

설명:

게이트 드라이버 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3411R150RWHR

데이터시트:

LMG3411R150RWHT 데이터시트

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 140

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공장 리드 타임:: 12 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

140을(를) 초과하는 수량에 대해서는 최소 주문 요구사항이 적용됩니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(250의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩20,764.4	₩20,764
	₩16,354	₩163,540
	₩15,244	₩381,100
	₩14,193.2	₩1,419,320
전체 릴(250의 배수로 주문)
	₩13,497.6	₩3,374,400
	₩12,979.6	₩6,489,800
	₩12,890.8	₩12,890,800
5,000	견적

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

대체 포장

제조업체 부품 번호:

LMG3411R150RWHR

포장:

Reel, Cut Tape, MouseReel

구매 가능 정보:

재고 상태

가격:

₩15,392

최소:

유사 제품

제조업체:

Texas Instruments

제조업체 번호:

LMG3411R150RWHR

설명:

게이트 드라이버 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3411R150RWHT

현재 부품과 비교

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Texas Instruments
제품 카테고리:	게이트 드라이버
RoHS:
REACH - SVHC:
제품:	MOSFET Gate Drivers
타입:	Half-Bridge
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	VQFN-32
드라이버 수:	1 Driver
출력 수:	1 Output
출력 전류:	12 A
공급 전압 - 최소:	9.5 V
공급 전압 - 최대:	18 V
구성:	Non-Inverting
상승 시간:	2.9 ns
하강 시간:	26 ns
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 125 C
시리즈:	LMG3411R150
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Texas Instruments
COA(최종 조립 국가):	Not Available
COD(확산 공정 국가):	Not Available
COO(원산지):	PH
개발 키트:	LMG3411EVM-031
특징:	Integrated Gate Driver, Robust Protection
로직 타입:	CMOS
습도에 민감:	Yes
작동 공급 전류:	9 mA
제품 유형:	Gate Drivers
Rds On - 드레인 소스 저항:	150 mOhms
차단:	Shutdown
팩토리 팩 수량:	250
하위 범주:	PMIC - Power Management ICs
기술:	GaN
상표명:	GaN

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

LMG3411R150RWHT 데이터시트

Application Notes

PCN

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CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

LMG341xR150 GaN FET

설계자는 드라이버 및 보호 기능이 통합된 Texas Instruments LMG341xR150 GaN FET를 통해 전력 전자 시스템에서 새로운 전력 밀도 수준과 효율성을 달성할 수 있습니다. LMG341xR150 GaN FET는 초저 입력 및 출력 정전용량, 스위칭 손실을 최대 80%까지 줄이기 위한 역방향 회복 제로, EMI 감소를 위한 낮은 스위치 노드 공명이 특징입니다. 이러한 특징 덕분에 토템폴 PFC와 같이 밀도가 높고 효율적인 토폴로지가 가능합니다.