LM5101BMA/NOPB

Texas Instruments
926-LM5101BMA/NOPB
LM5101BMA/NOPB

제조업체:

설명:
게이트 드라이버 100V 2A Half-Bridge Driver

ECAD 모델:
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재고 상태: 4,259

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단가:
₩-
합계:
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가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩6,526.8 ₩6,527
₩4,958 ₩49,580
₩4,144 ₩103,600
₩3,966.4 ₩376,808
₩3,892.4 ₩1,109,334
₩3,774 ₩2,151,180
₩3,685.2 ₩3,851,034
₩3,581.6 ₩9,186,804

대체 포장

제조업체 부품 번호:
포장:
Reel, Cut Tape, MouseReel
구매 가능 정보:
재고 상태
가격:
₩5,091
최소:
1

제품 속성 속성 값 속성 선택
Texas Instruments
제품 카테고리: 게이트 드라이버
RoHS:  
MOSFET Gate Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
SOIC-8
2 Driver
2 Output
2 A
9 V
14 V
570 ns
430 ns
- 40 C
+ 125 C
LM5101B
Tube
브랜드: Texas Instruments
COA(최종 조립 국가): Not Available
COD(확산 공정 국가): Not Available
COO(원산지): MY
특징: Independent
로직 타입: TTL
최대 턴-오프 지연 시간: 4 ns
최대 턴-온 지연 시간: 4 ns
작동 공급 전류: 2 mA
제품 유형: Gate Drivers
전파 지연 - 최대: 26 ns
팩토리 팩 수량: 95
하위 범주: PMIC - Power Management ICs
기술: Si
단위 중량: 143 mg
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속성 선택됨: 0

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CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
854239099
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

LM5101BMA 100V MOSFET 드라이버

Texas Instruments LM5101BMA 100V MOSFET 드라이버는 동기식 벅 또는 하프 브리지 구성으로 하이 측 및 로우 측 N-채널 MOSFET을 둘 다 구동하도록 설계되었습니다. 플로팅 하이 측 드라이버는 최대 100V의 공급 전압으로 작동할 수 있습니다. "A" 버전은 전체 3A의 게이트 드라이브를 제공하는 반면, "B" 및 "C" 버전은 각각 2A 및 1A를 제공합니다. 출력은 CMOS 입력 임계값(LM5100A/B/C) 또는 TTL 입력 임계값(LM5101A/B/C)으로 독립적으로 제어됩니다. 통합형 고전압 다이오드는 하이 측 게이트 드라이브 부트스트랩 커패시터를 충전할 목적으로 제공됩니다. 견고한 레벨 시프터는 고속으로 작동하며, 그러면서도 전력 소모가 적고 컨트롤 로직에서 고측 게이트 드라이버로 깔끔하게 전환됩니다.