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CSD88584Q5DC

Name: Texas Instruments CSD88584Q5DC
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD88584Q5DC
Price: 6985 KRW
Availability: OutOfStock

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Mouser 번호:

595-CSD88584Q5DC

제조업체 번호:

CSD88584Q5DC

제조업체:

Texas Instruments

설명:

MOSFET 40-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD88584Q5DCT

데이터시트:

CSD88584Q5DC 데이터시트

ECAD 모델:

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MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩6,985.6	₩6,986
	₩4,632.4	₩46,324
	₩3,285.6	₩328,560
	₩3,078.4	₩1,539,200
	₩2,915.6	₩2,915,600
전체 릴(2500의 배수로 주문)
	₩2,871.2	₩7,178,000

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Texas Instruments
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	VSON-CLIP-22
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	2 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	40 V
Id - 연속 드레인 전류:	50 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	680 uOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	1.2 V
Qg - 게이트 전하:	137 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	12 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	NexFET
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Texas Instruments
구성:	Dual
COA(최종 조립 국가):	Not Available
COD(확산 공정 국가):	Not Available
COO(원산지):	PH
하강 시간:	17 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	149 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	24 ns
시리즈:	CSD88584Q5DC
팩토리 팩 수량:	2500
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	2 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	53 ns
표준 턴-온 지연 시간:	11 ns
단위 중량:	100.600 mg

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CSD88584Q5DC 데이터시트

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CSD88584Q5DC PSpice Model (Rev. A)

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KRHTS:: 8541299000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NexFET™ 전력 MOSFET

Texas Instruments NexFET™ 전력 MOSFET은 동일한 저항에 대해 절반의 게이트 전하를 제공하므로 설계자는 두 배의 주파수로 90%의 전원 공급 효율을 달성할 수 있습니다. 이 NexFET 전력 MOSFET은 수직 전류 흐름을 측면 전력 MOSFET과 결합합니다. 이 장치들은 낮은 온 저항을 제공하고 업계 표준 패키지 외형과 매우 낮은 게이트 전하를 필요로 합니다. Texas Instruments NexFET 전력 MOSFET 기술은 고전력 컴퓨팅, 네트워킹, 서버 시스템 및 전원 공급 장치의 에너지 효율성을 향상시킵니다.

NexFET Power Block ICs

Texas Instruments NexFET Power Block ICs are optimized driver ICs with Dual NexFET MOSFETs used in the devices. This delivers higher efficiency in a typical high current POL design. These devices use half the PCB area versus other discrete 3x3 QFN package MOSFETs, which improves power density. With ultra-low Qg & Qgd, these devices enable a higher switching frequency with up to double frequency for the same power loss versus competitor's devices. This feature provides improved transient response for fewer output capacitors that will be needed. There is a size reduction, by up to 1/2, for the output filter (caps & inductor). Texas Instruments NexFET Power Block ICs come with a unique ground pad lead frame and pinout, which simplifies the customer's layout and improves operating and thermal performance.

CSD88584Q5DC 40V 하프 브리지 NexFET 전원 블록

Texas Instruments CSD88584Q5DC 40V 하프 브리지 NexFET 전원 블록은 고전류 모터 제어 애플리케이션용으로 최적화 설계된 제품입니다. 이러한 애플리케이션으로는 휴대용 공구, 무선 정원 관리용 공구 및 전동 공구 등이 있습니다. 이 장치는 기생 인덕턴스를 최소화하는 동시에 완전한 하프 브리지를 제공하기 위해 TI의 특허 기술인 적층 다이 기술을 활용합니다. 또한, 공간 절약형 열 특성 강화 DualCool™ 5mm × 6mm 패키지로 제공됩니다. 금속 상단부가 노출된 이 전원 블록 장치를 이용해 패키지 상단부를 통해 PCB로부터 열을 빼내기 위한 단순한 히트 싱크 애플리케이션을 구현할 수 있습니다. 이러한 설계 덕분에 많은 모터 제어 애플리케이션에서 요구되는 높은 전류에서 우수한 열 성능을 제공합니다.
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