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CSD87384MT

Name: Texas Instruments CSD87384MT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD87384MT
Price: 3664 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

595-CSD87384MT

제조업체 번호:

CSD87384MT

제조업체:

Texas Instruments

설명:

MOSFET Sync Buck NexFET Pwr Block II A 595-CSD8 A 595-CSD87384M

데이터시트:

CSD87384MT 데이터시트

ECAD 모델:

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재고 상태: 316

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공장 리드 타임:: 12 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

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최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(250의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩3,664.6	₩3,665
	₩2,467.4	₩24,674
	₩2,073.2	₩207,320
전체 릴(250의 배수로 주문)
	₩2,073.2	₩518,300
	₩1,620.6	₩810,300
	₩1,562.2	₩1,562,200
	₩1,533	₩3,832,500
	₩1,503.8	₩7,519,000

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

대체 포장

제조업체 부품 번호:

CSD87384M

포장:

Reel, Cut Tape, MouseReel

구매 가능 정보:

재고 상태

가격:

₩2,394

최소:

유사 제품

제조업체:

Texas Instruments

제조업체 번호:

CSD87384M

설명:

MOSFET Sync Buck Power Bloc k II A 595-CSD87384 A 595-CSD87384MT

현재 부품과 비교

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Texas Instruments
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	PTAB-5
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	2 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	30 V
Id - 연속 드레인 전류:	30 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	6.4 mOhms, 1.95 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 8 V, 10 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	1.9 V, 1.7 V
Qg - 게이트 전하:	9.2 nC, 40 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	8 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	NexFET
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Texas Instruments
구성:	Dual
하강 시간:	7.6 ns, 8.2 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	67 S, 240 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	56 ns, 49 ns
시리즈:	CSD87384M
팩토리 팩 수량:	250
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	2 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	14 ns, 29 ns
표준 턴-온 지연 시간:	8.7 ns, 17.5 ns
단위 중량:	71.600 mg

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CAHTS:: 8542390000
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NexFET™ 전력 MOSFET

Texas Instruments NexFET™ 전력 MOSFET은 동일한 저항에 대해 절반의 게이트 전하를 제공하므로 설계자는 두 배의 주파수로 90%의 전원 공급 효율을 달성할 수 있습니다. 이 NexFET 전력 MOSFET은 수직 전류 흐름을 측면 전력 MOSFET과 결합합니다. 이 장치들은 낮은 온 저항을 제공하고 업계 표준 패키지 외형과 매우 낮은 게이트 전하를 필요로 합니다. Texas Instruments NexFET 전력 MOSFET 기술은 고전력 컴퓨팅, 네트워킹, 서버 시스템 및 전원 공급 장치의 에너지 효율성을 향상시킵니다.

NexFET Power Block ICs

Texas Instruments NexFET Power Block ICs are optimized driver ICs with Dual NexFET MOSFETs used in the devices. This delivers higher efficiency in a typical high current POL design. These devices use half the PCB area versus other discrete 3x3 QFN package MOSFETs, which improves power density. With ultra-low Qg & Qgd, these devices enable a higher switching frequency with up to double frequency for the same power loss versus competitor's devices. This feature provides improved transient response for fewer output capacitors that will be needed. There is a size reduction, by up to 1/2, for the output filter (caps & inductor). Texas Instruments NexFET Power Block ICs come with a unique ground pad lead frame and pinout, which simplifies the customer's layout and improves operating and thermal performance.