CSD87313DMS

Texas Instruments
595-CSD87313DMS
CSD87313DMS

제조업체:

설명:
MOSFET 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87313DMST

ECAD 모델:
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컷 테이프/MouseReel™
₩3,167.2 ₩3,167
₩2,027.6 ₩20,276
₩1,372 ₩137,200
₩1,092.2 ₩546,100
₩1,022.7 ₩1,022,700
전체 릴(2500의 배수로 주문)
₩973.8 ₩2,434,500
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제조업체 부품 번호:
포장:
Reel, Cut Tape, MouseReel
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1

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Texas Instruments CSD87313DMST
Texas Instruments
MOSFET 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87313DMS

제품 속성 속성 값 속성 선택
Texas Instruments
제품 카테고리: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
WSON-8
N-Channel
2 Channel
30 V
17 A
5.5 mOhms
- 10 V, 10 V
600 mV
28 nC
- 55 C
+ 150 C
2.7 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
브랜드: Texas Instruments
구성: Dual
COA(최종 조립 국가): Not Available
COD(확산 공정 국가): Not Available
COO(원산지): PH
하강 시간: 13 ns, 13 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소: 149 S, 149 S
제품 유형: MOSFETs
상승 시간: 27 ns, 27 ns
시리즈: CSD87313DMS
팩토리 팩 수량: 2500
하위 범주: Transistors
트랜지스터 타입: 2 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간: 41 ns, 41 ns
표준 턴-온 지연 시간: 9 ns, 9 ns
단위 중량: 5.500 mg
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속성 선택됨: 0

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KRHTS:
8541299000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NexFET™ 전력 MOSFET

Texas Instruments NexFET™ 전력 MOSFET은 동일한 저항에 대해 절반의 게이트 전하를 제공하므로 설계자는 두 배의 주파수로 90%의 전원 공급 효율을 달성할 수 있습니다. 이 NexFET 전력 MOSFET은 수직 전류 흐름을 측면 전력 MOSFET과 결합합니다. 이 장치들은 낮은 온 저항을 제공하고 업계 표준 패키지 외형과 매우 낮은 게이트 전하를 필요로 합니다. Texas Instruments NexFET 전력 MOSFET 기술은 고전력 컴퓨팅, 네트워킹, 서버 시스템 및 전원 공급 장치의 에너지 효율성을 향상시킵니다.

NexFET N-채널 전력 MOSFET

Texas Instruments NexFET N-채널 전력 MOSFET은 전력 변환 애플리케이션에서 손실을 최소화하도록 설계되었습니다. 이런 N-채널 장치는 극히 낮은 Qg 및 Qd와 낮은 열저항이 특징입니다. 이런 장치는 애벌랜치 등급이며 SON 5mm x 6mm 플라스틱 패키지로 제공됩니다.